产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-251-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO251
型号：
IPU60R1K4C6AKMA1
仓库库存编号：
IPU60R1K4C6AKMA1-ND
别名：SP001292874
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 3.6A（Tc） 78W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR812TRPBF
仓库库存编号：
IRFR812TRPBFCT-ND
别名：IRFR812TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7.4A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO200P03SHXUMA1
仓库库存编号：
BSO200P03SHXUMA1TR-ND
别名：BSO200P03S H
BSO200P03S H-ND
SP000613850
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO040N03MSGXUMA1
仓库库存编号：
BSO040N03MSGXUMA1TR-ND
别名：BSO040N03MS G
BSO040N03MS G-ND
SP000446070
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 3.2A（Tc） 28W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R1K4C6ATMA1
仓库库存编号：
IPD65R1K4C6ATMA1-ND
别名：SP001107078
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 12A（Ta） 1.6W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO080P03NS3EGXUMA1
仓库库存编号：
BSO080P03NS3EGXUMA1CT-ND
别名：BSO080P03NS3E GCT
BSO080P03NS3E GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 47A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 47A（Tc） 36W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC094N06LS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC094N06LS5ATMA1-ND
别名：SP001458086
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 12A（Ta） 1.6W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO080P03NS3GXUMA1
仓库库存编号：
BSO080P03NS3GXUMA1CT-ND
别名：BSO080P03NS3 GCT
BSO080P03NS3 GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 18A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 18A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），30W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ033NE2LS5ATMA1
仓库库存编号：
BSZ033NE2LS5ATMA1-ND
别名：SP001288158
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 15.1A (Tc） 118W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R400CEAUMA1
仓库库存编号：
IPD65R400CEAUMA1-ND
别名：SP001466800
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 2.8A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R1K4CFDATMA1
仓库库存编号：
IPD65R1K4CFDATMA1-ND
别名：SP001117732
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 19A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 19A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），30W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ031NE2LS5ATMA1
仓库库存编号：
BSZ031NE2LS5ATMA1-ND
别名：SP001385378
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 22A（Ta），88A（Tc） 2.5W（Ta），36W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC0503NSIATMA1
仓库库存编号：
BSC0503NSIATMA1-ND
别名：SP001288144
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO251
详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU60R950C6AKMA1
仓库库存编号：
IPU60R950C6AKMA1-ND
别名：SP001292888
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2A 2W Surface Mount PG-DSO-8
型号：
BSO612CVGHUMA1
仓库库存编号：
BSO612CVGHUMA1TR-ND
别名：BSO612CV G
BSO612CV G-ND
BSO612CVGINTR
BSO612CVGINTR-ND
BSO612CVGT
BSO612CVGXT
BSO612CVT
BSO612CVXTINTR
BSO612CVXTINTR-ND
SP000216307
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 1.5A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 1.5A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
型号：
AUIRFL014NTR
仓库库存编号：
AUIRFL014NTR-ND
别名：SP001521554
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO251-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 3.9A（Tc） 63W（Tc） TO-251-3
型号：
IPU80R1K4CEAKMA1
仓库库存编号：
IPU80R1K4CEAKMA1-ND
别名：SP001593930
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 1.6W Surface Mount PG-DSO-8
型号：
BSO211PHXUMA1
仓库库存编号：
BSO211PHXUMA1-ND
别名：BSO211P H
BSO211P H-ND
SP000613844
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 6A 30W TO252-3
详细描述：IGBT NPT 600V 6A 30W Surface Mount PG-TO252-3
型号：
SGD02N60BUMA1
仓库库存编号：
SGD02N60BUMA1TR-ND
别名：SGD02N60
SGD02N60-ND
SP000011993
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 5A 8DSO
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 5A 1.6W Surface Mount PG-DSO-8
型号：
BSO207PHXUMA1
仓库库存编号：
BSO207PHXUMA1CT-ND
别名：BSO207P HCT
BSO207P HCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 7.2A 8DSO
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7.2A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO303SPHXUMA1
仓库库存编号：
BSO303SPHXUMA1CT-ND
别名：BSO303SP HCT
BSO303SP HCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 20A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ076N06NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSZ076N06NS3GATMA1CT-ND
别名：BSZ076N06NS3GINCT
BSZ076N06NS3GINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 14.9A（Ta），78.6A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC084P03NS3EGATMA1
仓库库存编号：
BSC084P03NS3EGATMA1TR-ND
别名：BSC084P03NS3E G
BSC084P03NS3E G-ND
BSC084P03NS3E GTR-ND
SP000473012
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），36W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ0503NSIATMA1
仓库库存编号：
BSZ0503NSIATMA1-ND
别名：SP001288156
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 350mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP129H6906XTSA1
仓库库存编号：
BSP129H6906XTSA1-ND
别名：SP001058586
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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