产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 2.7W(Ta),28W(Tc) 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
型号:
IRFHM8334TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM8334TRPBFCT-ND
别名:IRFHM8334TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 2A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 2A(Ta) 2W(Ta) PG-TSOP6-6
型号:
BSL372SNH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSL372SNH6327XTSA1-ND
别名:SP000942920
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS169H6906XTSA1
仓库库存编号:
BSS169H6906XTSA1-ND
别名:SP000702582
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.4A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.4A(Ta) 2W(Ta) P-TSOP6-6
型号:
BSL296SNH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSL296SNH6327XTSA1-ND
别名:SP000942912
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 2A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 2A(Ta) 2W(Ta) PG-TSOP-6-1
型号:
BSL373SNH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSL373SNH6327XTSA1-ND
别名:SP000942916
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO110N03MSGXUMA1
仓库库存编号:
BSO110N03MSGXUMA1TR-ND
别名:BSO110N03MS G
BSO110N03MS G-ND
BSO110N03MS GINTR
BSO110N03MS GINTR-ND
SP000446062
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 2.1W(Ta) PG-TDSON-8
型号:
BSZ0994NSATMA1
仓库库存编号:
BSZ0994NSATMA1-ND
别名:SP001586402
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 9.8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9332TRPBF
仓库库存编号:
IRF9332TRPBF-ND
别名:SP001565710
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.2A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP296NH6433XTMA1
仓库库存编号:
BSP296NH6433XTMA1-ND
别名:SP001098610
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7.2A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R1K0CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD65R1K0CEAUMA1-ND
别名:SP001421368
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 18A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.3A(Ta),18A(Tc) 29W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC440N10NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC440N10NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC440N10NS3 GCT
BSC440N10NS3 GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF8714GTRPBF
仓库库存编号:
IRF8714GTRPBFTR-ND
别名:IRF8714GTRPBFTR
SP001570678
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Ta) 2.7W(Ta),33W(Tc) 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
型号:
IRFHM8330TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM8330TRPBFCT-ND
别名:IRFHM8330TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 120mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP125H6433XTMA1
仓库库存编号:
BSP125H6433XTMA1-ND
别名:SP001058578
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 3.2A(Ta),20A(Tc) 2.8W(Ta),29W(Tc) 8-PQFN(3x3)
型号:
IRFHM3911TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM3911TRPBF-ND
别名:SP001575850
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF9956TRPBF
仓库库存编号:
IRF9956PBFTR-ND
别名:IRF9956PBFTR
IRF9956TRPBF-ND
IRF9956TRPBFTR-ND
SP001565688
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF8721GTRPBF
仓库库存编号:
IRF8721GTRPBFTR-ND
别名:IRF8721GTRPBFTR
SP001565746
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.4A(Tc) 22.3W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD60R2K0C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R2K0C6ATMA1-ND
别名:SP001117714
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 1.9A(Tc) 42W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R2K8CEAKMA1
仓库库存编号:
IPU80R2K8CEAKMA1-ND
别名:SP001593932
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 19A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 19A(Ta) 2.8W(Ta),34W(Tc) 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
型号:
IRFHM8228TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM8228TRPBFTR-ND
别名:IRFHM8228TRPBFTR
SP001556578
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 980mA(Tc) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP321PH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP321PH6327XTSA1-ND
别名:SP001058782
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 17A(Ta) 2.1W(Ta) PG-TDSON-8
型号:
BSZ0589NSATMA1
仓库库存编号:
BSZ0589NSATMA1-ND
别名:SP001586396
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 200mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
SN7002N L6327
仓库库存编号:
SN7002NL6327INCT-ND
别名:SN7002NL6327
SN7002NL6327INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 22A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 22A(Ta),84A(Tc) 2.8W(Ta),78W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC032NE2LSATMA1
仓库库存编号:
BSC032NE2LSATMA1CT-ND
别名:BSC032NE2LSCT
BSC032NE2LSCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 21A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 21A(Ta),72A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0504NSIATMA1
仓库库存编号:
BSC0504NSIATMA1-ND
别名:SP001288146
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