产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 3.1W(Ta),31W(Tc) 8-PowerPak? ChipFet(3x1.9)
型号:
SI5419DU-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5419DU-T1-GE3CT-ND
别名:SI5419DU-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS8884
仓库库存编号:
FDS8884CT-ND
别名:FDS8884CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A SC-70
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 19.2W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA400EDJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA400EDJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA400EDJ-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 6.6A MFET 2X2
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.6A(Ta) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMA291P
仓库库存编号:
FDMA291PCT-ND
别名:FDMA291PCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.16A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2306BDS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2306BDS-T1-E3CT-ND
别名:SI2306BDS-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 2W(Ta),3.6W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3464DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3464DV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3464DV-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.7A(Tc) 39W(Tc) DPAK
型号:
NDD02N40T4G
仓库库存编号:
NDD02N40T4GOSCT-ND
别名:NDD02N40T4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 23A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta),23A(Tc) 2.1W(Ta),32W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ340N08NS3 G
仓库库存编号:
BSZ340N08NS3GINCT-ND
别名:BSZ340N08NS3GINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 39A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta),39A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC120N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC120N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC120N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC120N03MSGINCT
BSC120N03MSGINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 1.25W(Ta),1.66W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2316BDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2316BDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2316BDS-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 5.0A SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5A (Ta) 1.3W Surface Mount 8-SO
型号:
DMN6040SSDQ-13
仓库库存编号:
DMN6040SSDQ-13DICT-ND
别名:DMN6040SSDQ-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC658P
仓库库存编号:
FDC658PCT-ND
别名:FDC658PCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS8878
仓库库存编号:
FDS8878CT-ND
别名:FDS8878CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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ON Semiconductor
TRANS NPN 80V 8A DPAK
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 8A 85MHz 1.75W Surface Mount DPAK-3
型号:
MJD44H11T4G
仓库库存编号:
MJD44H11T4GOSCT-ND
别名:MJD44H11T4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRLL014NTRPBF
仓库库存编号:
IRLL014NPBFCT-ND
别名:*IRLL014NTRPBF
IRLL014NPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 23A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta),23A(Tc) 2.5W(Ta),32W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC340N08NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC340N08NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC340N08NS3 GCT
BSC340N08NS3 GCT-ND
BSC340N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 5.2A 1W Surface Mount 8-TSSOP
型号:
SI6968BEDQ-T1-GE3
仓库库存编号:
SI6968BEDQ-T1-GE3CT-ND
别名:SI6968BEDQ-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 38.3A(Tc) 3.2W(Ta),19.8W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SISA18ADN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISA18ADN-T1-GE3CT-ND
别名:SISA18ADN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
详细描述:P 沟道 3A(Ta) 480mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
NTR3A30PZT1G
仓库库存编号:
NTR3A30PZT1GOSCT-ND
别名:NTR3A30PZT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Diodes Incorporated
TRANS NPN 60V 3.5A SOT23-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 3.5A 185MHz 1.25W Surface Mount SOT-23-3
型号:
ZXTN25060BFHTA
仓库库存编号:
ZXTN25060BFHCT-ND
别名:ZXTN25060BFHCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Diodes Incorporated
TRANS PNP 40V 2A SOT23-6
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 2A 190MHz 1.1W Surface Mount SOT-23-6
型号:
ZXT10P40DE6TA
仓库库存编号:
ZXT10P40DE6TACT-ND
别名:ZXT10P40DE6TACT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Diodes Incorporated
TRANS PNP 100V 2A SOT23-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 2A 200MHz 1.25W Surface Mount SOT-23-3
型号:
ZXTP25100BFHTA
仓库库存编号:
ZXTP25100BFHCT-ND
别名:ZXTP25100BFHCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4407A
仓库库存编号:
785-1022-1-ND
别名:785-1022-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.1W(Ta),2.7W(Tc) 4-WLCSP(1.6x1.6)
型号:
SI8425DB-T1-E1
仓库库存编号:
SI8425DB-T1-E1CT-ND
别名:SI8425DB-T1-E1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Tc) 2.5W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2329DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2329DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2329DS-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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