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• IXYS
  IGBT 1700V 160A GENX3 SOT-227B
  详细描述：IGBT Module NPT Single 1700V 160A 735W Chassis Mount SOT-227B
  
  型号：IXGN100N170
  仓库库存编号：IXGN100N170-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• TT Electronics/Optek Technology
  MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 90V 2A, 1.1A 500mW Surface Mount 6-SMD
  
  型号：HCT802TXV
  仓库库存编号：HCT802TXV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1700V 110A 1040W TO264
  详细描述：IGBT 1700V 110A 1040W Through Hole TO-264
  
  型号：IXBK75N170A
  仓库库存编号：IXBK75N170A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 1100V 34A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN40N110P
  仓库库存编号：IXFN40N110P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 30A（Tc） 800W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXTB30N100L
  仓库库存编号：IXTB30N100L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1700V 110A 1040W PLUS247
  详细描述：IGBT 1700V 110A 1040W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXBX75N170A
  仓库库存编号：IXBX75N170A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 49A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 49A（Tc） 730W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APL602LG
  仓库库存编号：APL602LG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1000V 33A ISOPLUS227
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 33A（Tc） 580W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFE36N100
  仓库库存编号：IXFE36N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 3000V 29A 240W ISOPLUSI4
  详细描述：IGBT 3000V 29A 240W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXBF10N300C
  仓库库存编号：IXBF10N300C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 3000V TO247
  详细描述：IGBT 3000V 60A 240W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXBF42N300
  仓库库存编号：IXBF42N300-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 3000V 20A 140W TO247AD
  详细描述：IGBT 3000V 34A 180W Surface Mount TO-263
  
  型号：IXBH10N300HV
  仓库库存编号：IXBH10N300HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 84A（Tc） 960W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT80M60J
  仓库库存编号：APT80M60J-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 3000V 36A 160W I4-PAK
  详细描述：IGBT 3000V 36A 160W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXGF36N300
  仓库库存编号：IXGF36N300-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 1100V 36A（Tc） 1000W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN36N110P
  仓库库存编号：IXFN36N110P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 220A 400W SMPD
  详细描述：IGBT PT 1200V 220A 400W Surface Mount SMPD
  
  型号：MMIX1G120N120A3V1
  仓库库存编号：MMIX1G120N120A3V1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 45A（Tc） 960W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT45M100J
  仓库库存编号：APT45M100J-ND
  别名：APT45M100JMI
  APT45M100JMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 900V 39A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 900V 39A（Tc） 694W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN39N90
  仓库库存编号：IXFN39N90-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 62A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 62A（Tc） 800W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN62N50L
  仓库库存编号：IXTN62N50L-ND
  
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  IGBT 2500V 116A 500W ISOPLUSI5
  详细描述：IGBT 2500V 116A 500W Through Hole ISOPLUSi5-Pak?
  
  型号：IXBL64N250
  仓库库存编号：IXBL64N250-ND
  别名：Q7051550
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IC TRANS BIPO 1700V SOT-227
  详细描述：IGBT Module Single 1700V 75A 625W Chassis Mount SOT-227B
  
  型号：IXBN75N170A
  仓库库存编号：IXBN75N170A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE STD REC 1600V 100A 3PH
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1600V 100A Surface Mount 5-SMD
  
  型号：M3P100A-160
  仓库库存编号：M3P100A-160GN-ND
  别名：M3P100A-160GN
  M3P100A160
  
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE STD REC 800V 100A 3PH
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 800V 100A Surface Mount 5-SMD
  
  型号：M3P100A-80
  仓库库存编号：M3P100A-80GN-ND
  别名：M3P100A-80GN
  M3P100A80
  
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  MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 32A（Tc） 1000W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN32N120P
  仓库库存编号：IXFN32N120P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 84A（Tc） 961W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT80F60J
  仓库库存编号：APT80F60J-ND
  
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  MOSFET N-CH 2500V 5A SOT227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 2500V 5A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN5N250
  仓库库存编号：IXTN5N250-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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