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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 30A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 30A（Tc） 694W（Tc） 24-SMPD
  
  型号：MMIX1F44N100Q3
  仓库库存编号：MMIX1F44N100Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 1100V 25A（Tc） 695W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN30N110P
  仓库库存编号：IXFN30N110P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 73A（Tc） 893W（Tc） 264 MAX? [L2]
  
  型号：APT60M75L2LLG
  仓库库存编号：APT60M75L2LLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 23A（Tc） 595W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN26N100P
  仓库库存编号：IXFN26N100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  MOD BRIDGE 61A 600V 1-PH SOT-227
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 61A Chassis Mount SOT-227
  
  型号：VS-SA61BA60
  仓库库存编号：VS-SA61BA60-ND
  别名：VSSA61BA60
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 15A（Tc） 540W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN17N120L
  仓库库存编号：IXTN17N120L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 23A（Tc） 695W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN26N120P
  仓库库存编号：IXFN26N120P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 73A（Tc） 893W（Tc） 264 MAX? [L2]
  
  型号：APT60M75L2FLLG
  仓库库存编号：APT60M75L2FLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 38A（Tc） 960W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN44N100Q3
  仓库库存编号：IXFN44N100Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 3000V 27A 114W I4-PAK
  详细描述：IGBT 3000V 27A 114W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXGF25N300
  仓库库存编号：IXGF25N300-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1100V 35A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 1100V 35A（Tc） 960W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN40N110Q3
  仓库库存编号：IXFN40N110Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 25A（Tc） 520W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT10035JLL
  仓库库存编号：APT10035JLL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 123A 570W SOT227
  详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 123A 570W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT100GT120JR
  仓库库存编号：APT100GT120JR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 480V 80A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN80N48
  仓库库存编号：IXFN80N48-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 300V 130A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN130N30
  仓库库存编号：IXFN130N30-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 3000V 34A 150W ISOPLUSI4
  详细描述：IGBT 3000V 34A 150W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXBF20N300
  仓库库存编号：IXBF20N300-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 44A（Tc） 450W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT5010JVRU3
  仓库库存编号：APT5010JVRU3-ND
  别名：APT5010JVRU3MI
  APT5010JVRU3MI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 71A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 71A（Tc） 595W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT50M50JLL
  仓库库存编号：APT50M50JLL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 58A（Tc） 730W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APL502B2G
  仓库库存编号：APL502B2G-ND
  别名：APL502B2GMI
  APL502B2GMI-ND
  
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  MOSFET N-CH 1100V 24A SMPD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1100V 24A（Tc） 500W（Tc） SMPD
  
  型号：MMIX1F40N110P
  仓库库存编号：MMIX1F40N110P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 100V 11A TO-204AA
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 11A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA
  
  型号：JANTX2N6804
  仓库库存编号：1088-1031-ND
  别名：1088-1031
  1088-1031-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 34A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN34N100
  仓库库存编号：IXFN34N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 49A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 49A（Tc） 730W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APL602B2G
  仓库库存编号：APL602B2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 30A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN30N120P
  仓库库存编号：IXFN30N120P-ND
  
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 153A 446W SOT227
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 153A 446W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT100GN120JDQ4
  仓库库存编号：APT100GN120JDQ4-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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