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• IXYS
  IGBT 2500V 23A 100W I4-PAK
  详细描述：IGBT 2500V 23A 100W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXGF20N250
  仓库库存编号：IXGF20N250-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 148A 500W SOT227
  详细描述：IGBT Module NPT Single 600V 148A 500W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT100GT60JRDQ4
  仓库库存编号：APT100GT60JRDQ4-ND
  别名：APT100GT60JRDQ4MI
  APT100GT60JRDQ4MI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 39A（Tc） 460W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT6013JLL
  仓库库存编号：APT6013JLL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS227
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 30A（Tc） 580W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFE34N100
  仓库库存编号：IXFE34N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 400A 600V SOT-227B
  详细描述：IGBT Module PT Single 600V 400A 830W Chassis Mount SOT-227B
  
  型号：IXGN400N60A3
  仓库库存编号：IXGN400N60A3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 60V 340A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN340N06
  仓库库存编号：IXFN340N06-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 63A SMPD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 63A（Tc） 520W（Tc） SMPD
  
  型号：MMIX1F132N50P3
  仓库库存编号：MMIX1F132N50P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  POWER MOD 1200V 80A SOT227
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 80A 312W Chassis, Stud Mount SOT-227
  
  型号：APT40GLQ120JCU2
  仓库库存编号：APT40GLQ120JCU2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 38A（Tc） 890W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB38N100Q2
  仓库库存编号：IXFB38N100Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227
  详细描述：底座安装 P 沟道 200V 106A（Tc） 830W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN120P20T
  仓库库存编号：IXTN120P20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 100V 210A SOT-227
  详细描述：底座安装 P 沟道 100V 210A（Tc） 830W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN210P10T
  仓库库存编号：IXTN210P10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Analog Devices Inc.
  TRANS 2PNP 36V 0.02A TO78-6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 36V 20mA 190MHz 500mW Through Hole TO-78-6
  
  型号：MAT03EHZ
  仓库库存编号：MAT03EHZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 900V 68A 284W SOT227
  详细描述：IGBT Module PT Single 900V 68A 284W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT40GP90J
  仓库库存编号：APT40GP90J-ND
  别名：APT40GP90JG
  APT40GP90JG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 100A（Tc） 735W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN110N20L2
  仓库库存编号：IXTN110N20L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 550V 72A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 550V 72A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN72N55Q2
  仓库库存编号：IXFN72N55Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 200V 158A ISOPLUS227
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 158A（Tc） 500W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFE180N20
  仓库库存编号：IXFE180N20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1500V 7.5A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 1500V 7.5A（Tc） 545W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN8N150L
  仓库库存编号：IXTN8N150L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 200A SOT-227
  详细描述：IGBT Module PT Single 600V 200A 780W Chassis Mount SOT-227B
  
  型号：IXXN200N60C3H1
  仓库库存编号：IXXN200N60C3H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 58A GENX3 SOT-227B
  详细描述：IGBT Module PT Single 1200V 130A 595W Chassis Mount SOT-227B
  
  型号：IXGN82N120C3H1
  仓库库存编号：IXGN82N120C3H1-ND
  
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  IGBT 1200V 145A SOT-227
  详细描述：IGBT Module PT Single 1200V 145A 595W Chassis Mount SOT-227B
  
  型号：IXGN82N120B3H1
  仓库库存编号：IXGN82N120B3H1-ND
  
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  IGBT 600V 195A ISOTOP
  详细描述：IGBT Module NPT Single 600V 195A 500W Chassis Mount SOT-227
  
  型号：APT200GT60JR
  仓库库存编号：APT200GT60JR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1200V 24A I5-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 24A（Tc） 520W（Tc） ISOPLUSi5-Pak?
  
  型号：IXFL32N120P
  仓库库存编号：IXFL32N120P-ND
  
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  IGBT 600V 430A SOT-227
  详细描述：IGBT Module PT Single 600V 430A 1000W Chassis Mount SOT-227B
  
  型号：IXGN400N60B3
  仓库库存编号：IXGN400N60B3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 22A（Tc） 690W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT12057B2FLLG
  仓库库存编号：APT12057B2FLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 3000V 42A 357W TO268
  详细描述：IGBT 3000V 104A 500W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXBT42N300HV
  仓库库存编号：IXBT42N300HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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