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• IXYS
  MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 21A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN21N100
  仓库库存编号：IXTN21N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 50A（Tc） 1135W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB50N80Q2
  仓库库存编号：IXFB50N80Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 1100V 40A（Tc） 1250W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB40N110P
  仓库库存编号：IXFB40N110P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 100A 329W SOT227
  详细描述：IGBT Module PT Single 600V 100A 329W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT50GP60JDQ2
  仓库库存编号：APT50GP60JDQ2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET 2N-CH 600V 47A ISOPLUS264
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 600V 47A Through Hole ISOPLUS264?
  
  型号：LKK47-06C5
  仓库库存编号：LKK47-06C5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 38A（Tc） 694W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT8020B2LLG
  仓库库存编号：APT8020B2LLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 65A（Tc） 833W（Tc） 264 MAX? [L2]
  
  型号：APT60M80L2VRG
  仓库库存编号：APT60M80L2VRG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 31A（Tc） 543W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT29F80J
  仓库库存编号：APT29F80J-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1200V 18A I5-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 18A（Tc） 357W（Tc） ISOPLUSi5-Pak?
  
  型号：IXFL30N120P
  仓库库存编号：IXFL30N120P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1000V 21A ISOPLUS227
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 21A（Tc） 500W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFE23N100
  仓库库存编号：IXFE23N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 900V 64A 284W SOT227
  详细描述：IGBT Module PT Single 900V 64A 284W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT40GP90JDQ2
  仓库库存编号：APT40GP90JDQ2-ND
  别名：APT40GP90JDQ2MI
  APT40GP90JDQ2MI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 75A 329W SOT227
  详细描述：IGBT Module PT Single 1200V 75A 329W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT45GP120J
  仓库库存编号：APT45GP120J-ND
  别名：APT45GP120JMI
  APT45GP120JMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 300V 102A SMPD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 102A（Tc） 570W（Tc） SMPD
  
  型号：MMIX1F160N30T
  仓库库存编号：MMIX1F160N30T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 250V 130A SMPD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 132A（Tc） 570W（Tc） SMPD
  
  型号：MMIX1F180N25T
  仓库库存编号：MMIX1F180N25T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 38A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 38A（Tc） 735W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN38N80Q2
  仓库库存编号：IXFN38N80Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 20A（Tc） 595W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN20N120P
  仓库库存编号：IXFN20N120P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1500V 20A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 1500V 20A（Tc） 1250W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK20N150
  仓库库存编号：IXTK20N150-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT PHASE LEG HV ISOPLUS I4PAK5
  详细描述：IGBT Array NPT Half Bridge 1700V 18A 140W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FII24N17AH1
  仓库库存编号：FII24N17AH1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 64A 284W SOT227
  详细描述：IGBT Module PT Single 1200V 64A 284W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT35GP120JDQ2
  仓库库存编号：APT35GP120JDQ2-ND
  别名：APT35GP120JDQ2MI
  APT35GP120JDQ2MI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 44A ISOPLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 44A（Tc） 550W（Tc） ISOPLUS264?
  
  型号：IXFL44N80
  仓库库存编号：IXFL44N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 300V 70A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 300V 70A（Tc） 450W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT30M40JVFR
  仓库库存编号：APT30M40JVFR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 44A（Tc） 380W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXKN45N80C
  仓库库存编号：IXKN45N80C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 100V 170A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN170N10
  仓库库存编号：IXFN170N10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 72A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN80N50Q2
  仓库库存编号：IXFN80N50Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 3000V 22A 100W I4-PAK
  详细描述：IGBT 3000V 22A 100W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXGF20N300
  仓库库存编号：IXGF20N300-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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