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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 46A（Tc） 700W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK46N50L
  仓库库存编号：IXTK46N50L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 27A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN27N80Q
  仓库库存编号：IXFN27N80Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 100A 329W SOT227
  详细描述：IGBT Module PT Single 600V 100A 329W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT50GP60J
  仓库库存编号：APT50GP60J-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1700V 57A 200W ISOPLUS247
  详细描述：IGBT 1700V 57A 200W Through Hole ISOPLUS247?
  
  型号：IXBR42N170
  仓库库存编号：IXBR42N170-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 33A（Tc） 543W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT32M80J
  仓库库存编号：APT32M80J-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IC TRANS BIPO 1700V SOT-227
  详细描述：IGBT Module Single 1700V 42A 312W Chassis Mount SOT-227B
  
  型号：IXBN42N170A
  仓库库存编号：IXBN42N170A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 30A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 30A（Tc） 735W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK30N100Q2
  仓库库存编号：IXFK30N100Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 30A（Tc） 735W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX30N100Q2
  仓库库存编号：IXFX30N100Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 86A 284W SOT227
  详细描述：IGBT Module PT Single 600V 86A 284W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT40GP60JDQ2
  仓库库存编号：APT40GP60JDQ2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 23A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN23N100
  仓库库存编号：IXFN23N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 300V 70A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 300V 70A（Tc） 450W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT30M40JVR
  仓库库存编号：APT30M40JVR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• TT Electronics/Optek Technology
  MOSFET N-CH 60V 200MA SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 300mW（Ta） 3-SMD
  
  型号：HCT7000MTXV
  仓库库存编号：HCT7000MTXV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 34A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN34N80
  仓库库存编号：IXFN34N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 22A（Tc） 690W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT12057B2LLG
  仓库库存编号：APT12057B2LLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 30A（Tc） 550W（Tc） ISOPLUS264?
  
  型号：IXFL34N100
  仓库库存编号：IXFL34N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 58A（Tc） 540W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT58F50J
  仓库库存编号：APT58F50J-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 84A 417W SOT227
  详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 84A 417W Chassis Mount SOT-227
  
  型号：APT50GR120JD30
  仓库库存编号：APT50GR120JD30-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 30A（Tc） 1250W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB30N120P
  仓库库存编号：IXFB30N120P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 58A（Tc） 540W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT58M50J
  仓库库存编号：APT58M50J-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 37A ISOPLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 37A（Tc） 360W（Tc） ISOPLUS264?
  
  型号：IXFL70N60Q2
  仓库库存编号：IXFL70N60Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• TT Electronics/Optek Technology
  MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 90V 2A, 1.1A 500mW Surface Mount 6-SMD
  
  型号：HCT802
  仓库库存编号：HCT802-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 28A（Tc） 690W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT10035B2FLLG
  仓库库存编号：APT10035B2FLLG-ND
  
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  MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 300V 138A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN170N30P
  仓库库存编号：IXFN170N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 22A（Tc） 690W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT12057LFLLG
  仓库库存编号：APT12057LFLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 32A（Tc） 520AW（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN32N60
  仓库库存编号：IXFN32N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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