以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 62A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 62A（Tc） 1560W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB62N80Q3
  仓库库存编号：IXFB62N80Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 300V 90A（Tc） 560W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN90N30
  仓库库存编号：IXFN90N30-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  IGBT 600V 160A SOT227
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 160A 380W Chassis Mount SOT-227
  
  型号：GHIS080A060S1-E1
  仓库库存编号：1560-1239-ND
  别名：1560-1239
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• TT Electronics/Optek Technology
  MOSFET N-CH 60V 200MA SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 300mW（Ta） 3-SMD
  
  型号：HCT7000MTX
  仓库库存编号：HCT7000MTX-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 85V 80A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 80A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT80N085
  仓库库存编号：IXFT80N085-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 990mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
  
  型号：2N6660
  仓库库存编号：2N6660-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1200V 95A SOT-227
  详细描述：IGBT Module PT Single 1200V 95A 460W Chassis Mount SOT-227B
  
  型号：IXGN50N120C3H1
  仓库库存编号：IXGN50N120C3H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 54A（Tc） 690W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT6010B2LLG
  仓库库存编号：APT6010B2LLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 51A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 51A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT50M75JLLU2
  仓库库存编号：APT50M75JLLU2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 64A ISOPLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 55A（Tc） 625W（Tc） ISOPLUS264?
  
  型号：IXFL80N50Q2
  仓库库存编号：IXFL80N50Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 4500V 30A TO-247HV
  详细描述：IGBT PT 4500V 60A 430W Through Hole TO-247HV
  
  型号：IXYH30N450HV
  仓库库存编号：IXYH30N450HV-ND
  别名：Q9720435
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 900V 25A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN25N90
  仓库库存编号：IXFN25N90-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 9A（Tc） 250W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR10N100Q
  仓库库存编号：IXFR10N100Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 52A（Tc） 625W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN64N50PD2
  仓库库存编号：IXFN64N50PD2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 600V 200A SOT-227
  详细描述：IGBT Module PT Single 600V 200A 780W Chassis Mount SOT-227B
  
  型号：IXXN200N60B3H1
  仓库库存编号：IXXN200N60B3H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 44A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 44A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN44N60
  仓库库存编号：IXFN44N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 112A 543W SOT227
  详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 112A 543W Chassis Mount SOT-227
  
  型号：APT70GR120J
  仓库库存编号：APT70GR120J-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1700V 170A 830W PLUS247
  详细描述：IGBT NPT 1700V 170A 830W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXGX100N170
  仓库库存编号：IXGX100N170-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 37A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN44N100P
  仓库库存编号：IXFN44N100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 17A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 17A（Tc） 700W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXTX17N120L
  仓库库存编号：IXTX17N120L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 17A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 17A（Tc） 700W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK17N120L
  仓库库存编号：IXTK17N120L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT XPT 1200V 152A SOT-227B
  详细描述：IGBT Module PT Single 1200V 165A 690W Chassis Mount SOT-227B
  
  型号：IXYN100N120B3H1
  仓库库存编号：IXYN100N120B3H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 20A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 20A（Tc） 400W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT20N50D
  仓库库存编号：IXTT20N50D-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 46A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 46A（Tc） 700W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXTX46N50L
  仓库库存编号：IXTX46N50L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 22A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 22A（Tc） 700W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK22N100L
  仓库库存编号：IXTK22N100L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索