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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 28A（Tc） 416W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR38N80Q2
  仓库库存编号：IXFR38N80Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 97A（Tc） 450W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT20M22JVRU2
  仓库库存编号：APT20M22JVRU2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 97A（Tc） 450W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT20M22JVRU3
  仓库库存编号：APT20M22JVRU3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 76A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 76A（Tc） 310W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR80N10Q
  仓库库存编号：IXFR80N10Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 75A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 75A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT75N10
  仓库库存编号：IXTT75N10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 300V SOT-227B
  详细描述：IGBT Module PT Single 300V 400A 735W Chassis Mount SOT-227B
  
  型号：IXGN400N30A3
  仓库库存编号：IXGN400N30A3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 300V 73A（Tc） 481W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN73N30Q
  仓库库存编号：IXFN73N30Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 44A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX44N80Q3
  仓库库存编号：IXFX44N80Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1000V 21A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 21A（Tc） 500W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK21N100
  仓库库存编号：IXTK21N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 34A（Tc） 580W（Tc） ISOPLUS264?
  
  型号：IXFL39N90
  仓库库存编号：IXFL39N90-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 44A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 44A（Tc） 1250W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK44N80Q3
  仓库库存编号：IXFK44N80Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 75A 170W ISOPLUS247
  详细描述：IGBT PT 600V 75A 170W Through Hole ISOPLUS247?
  
  型号：IXGR60N60C3C1
  仓库库存编号：IXGR60N60C3C1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 72A（Tc） 1136W（Tc） SOT-227
  
  型号：VS-FA72SA50LC
  仓库库存编号：VS-FA72SA50LC-ND
  别名：VSFA72SA50LC
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 250V 120A（Tc） 730W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN120N25
  仓库库存编号：IXTN120N25-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 20A（Tc） 780W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN20N120
  仓库库存编号：IXFN20N120-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1000V 22A ISOPLUS227
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 22A（Tc） 500W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFE24N100
  仓库库存编号：IXFE24N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 50A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN50N50
  仓库库存编号：IXFN50N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 67A（Tc） 694W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT50M65B2LLG
  仓库库存编号：APT50M65B2LLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1500V 8A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1500V 8A（Tc） 700W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXTX8N150L
  仓库库存编号：IXTX8N150L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1100V 16A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1100V 16A（Tc） 320W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR30N110P
  仓库库存编号：IXFR30N110P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 100A SOT-227B
  详细描述：IGBT Module PT Single 600V 170A 500W Chassis Mount SOT-227B
  
  型号：IXXN100N60B3H1
  仓库库存编号：IXXN100N60B3H1-ND
  别名：Q7004112
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 550V 72A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 72A（Tc） 890W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB72N55Q2
  仓库库存编号：IXFB72N55Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 42A（Tc） 480W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT39M60J
  仓库库存编号：APT39M60J-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 100A（Tc） 1560W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB100N50Q3
  仓库库存编号：IXFB100N50Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 82A（Tc） 1560W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB82N60Q3
  仓库库存编号：IXFB82N60Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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