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• Microsemi Corporation
  POWER MOD IGBT 1200V 100A SOT227
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 100A 416W Chassis Mount SOT-227
  
  型号：APT75GT120JU3
  仓库库存编号：APT75GT120JU3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 900V 33A（Tc） 695W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN40N90P
  仓库库存编号：IXFN40N90P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1700V 75A 350W PLUS247
  详细描述：IGBT NPT 1700V 75A 350W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXGX32N170H1
  仓库库存编号：IXGX32N170H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 600V 32A SOT227
  详细描述：底座安装 P 沟道 600V 32A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN32P60P
  仓库库存编号：IXTN32P60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 200V 90A SOT227
  详细描述：底座安装 P 沟道 200V 90A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN90P20P
  仓库库存编号：IXTN90P20P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 650V 94A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 94A（Tc） 833W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT94N65B2C3G
  仓库库存编号：APT94N65B2C3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1000V 15A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 15A（Tc） 290W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR26N100P
  仓库库存编号：IXFR26N100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 240A 830W PLUS247
  详细描述：IGBT PT 1200V 240A 830W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXGX120N120A3
  仓库库存编号：IXGX120N120A3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 41A ISOPLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 41A（Tc） 500W（Tc） ISOPLUS264?
  
  型号：IXFL44N60
  仓库库存编号：IXFL44N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1700V 32A 350W PLUS247
  详细描述：IGBT NPT 1700V 32A 350W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXGX32N170AH1
  仓库库存编号：IXGX32N170AH1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 67A 245W SOT227
  详细描述：IGBT Module PT Single 600V 67A 245W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT30GP60JDQ1
  仓库库存编号：APT30GP60JDQ1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 41A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 41A（Tc） 500W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFE44N60
  仓库库存编号：IXFE44N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1100V 30A（Tc） 960W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX30N110P
  仓库库存编号：IXFX30N110P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 60A 220W TO247
  详细描述：IGBT PT 600V 60A 220W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH30N60C3C1
  仓库库存编号：IXGH30N60C3C1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1200V 15A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 15A（Tc） 320W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR26N120P
  仓库库存编号：IXFR26N120P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 38A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 38A（Tc） 735W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK38N80Q2
  仓库库存编号：IXFK38N80Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 38A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 38A（Tc） 735W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX38N80Q2
  仓库库存编号：IXFX38N80Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 27A（Tc） 690W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN32N100P
  仓库库存编号：IXFN32N100P-ND
  
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  MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 21A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN21N100Q
  仓库库存编号：IXFN21N100Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 3000V 30A 160W TO268
  详细描述：IGBT 3000V 30A 160W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXBT12N300HV
  仓库库存编号：IXBT12N300HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 60A ISOPLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 60A（Tc） 700W（Tc） ISOPLUS264?
  
  型号：IXFL60N60
  仓库库存编号：IXFL60N60-ND
  
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  MOSFET N-CH 1100V 30A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 1100V 30A（Tc） 960W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK30N110P
  仓库库存编号：IXFK30N110P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 75A 300W TO247
  详细描述：IGBT PT 600V 75A 300W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH48N60B3C1
  仓库库存编号：IXGH48N60B3C1-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOD DIODE 1700V SOT-227
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1700V 75A Chassis Mount SOT-227
  
  型号：APT75DF170HJ
  仓库库存编号：APT75DF170HJ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 100V 142A（Tc） 450W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT10M11JVRU2
  仓库库存编号：APT10M11JVRU2-ND
  别名：APT10M11JVRU2MI
  APT10M11JVRU2MI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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