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• IXYS
  IGBT 1200V 200A 830W TO264
  详细描述：IGBT PT 1200V 200A 830W Through Hole TO-264 (IXGK)
  
  型号：IXGK120N120B3
  仓库库存编号：IXGK120N120B3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 26A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 26A（Tc） 960W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX26N120P
  仓库库存编号：IXFX26N120P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 100A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN100N20
  仓库库存编号：IXFN100N20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 150A 400W ISOPLUS264
  详细描述：IGBT PT 600V 150A 400W Through Hole ISOPLUS264?
  
  型号：IXGL200N60B3
  仓库库存编号：IXGL200N60B3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 38A（Tc） 357W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT38M50J
  仓库库存编号：APT38M50J-ND
  别名：APT38M50JMP
  APT38M50JMP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1600V 28A 250W I4PAC
  详细描述：IGBT 1600V 28A 250W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXBF40N160
  仓库库存编号：IXBF40N160-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 52A（Tc） 1250W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB52N90P
  仓库库存编号：IXFB52N90P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 35A（Tc） 1135W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT34F100B2
  仓库库存编号：APT34F100B2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 31A（Tc） 355W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT30M60J
  仓库库存编号：APT30M60J-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 27A（Tc） 1135W（Tc） T-MAX?
  
  型号：APT26F120B2
  仓库库存编号：APT26F120B2-ND
  别名：APT26F120B2MI
  APT26F120B2MI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 67A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 67A（Tc） 694W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT50M65LLLG
  仓库库存编号：APT50M65LLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 44A（Tc） 1250W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB44N100P
  仓库库存编号：IXFB44N100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 550V 60A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 60A（Tc） 735W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX60N55Q2
  仓库库存编号：IXFX60N55Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 550V 60A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 60A（Tc） 735W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK60N55Q2
  仓库库存编号：IXFK60N55Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 200A 600V SOT-227B
  详细描述：IGBT Module PT Single 600V 200A 595W Chassis Mount SOT-227B
  
  型号：IXGN120N60A3
  仓库库存编号：IXGN120N60A3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 78A 600V SOT-227B
  详细描述：IGBT Module PT Single 600V 78A 360W Chassis Mount SOT-227B
  
  型号：IXGN72N60C3H1
  仓库库存编号：IXGN72N60C3H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 70V 180A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 70V 180A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN180N07
  仓库库存编号：IXFN180N07-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 250V 100A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN100N25
  仓库库存编号：IXFN100N25-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 67A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 67A（Tc） 694W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT50M65LFLLG
  仓库库存编号：APT50M65LFLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 80A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX80N50Q3
  仓库库存编号：IXFX80N50Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 43A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 43A（Tc） 565W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT6013LLLG
  仓库库存编号：APT6013LLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 250V 120A（Tc） 690W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN140N25T
  仓库库存编号：IXFN140N25T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 2500V 13A 150W TO268
  详细描述：IGBT NPT 2500V 13A 150W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXGT4N250C
  仓库库存编号：IXGT4N250C-ND
  别名：Q7066732
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1700V 24A 250W TO247AD
  详细描述：IGBT NPT 1700V 24A 250W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH24N170AH1
  仓库库存编号：IXGH24N170AH1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 70V 280A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN280N07
  仓库库存编号：IXFN280N07-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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