以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 75A 347W SOT227
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 75A 347W Chassis Mount SOT-227
  
  型号：APT50GT120JU3
  仓库库存编号：APT50GT120JU3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 600V 75A 1250W PLUS264
  详细描述：IGBT PT 600V 75A 1250W Through Hole PLUS264?
  
  型号：IXGB200N60B3
  仓库库存编号：IXGB200N60B3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 550V 44A 0TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 44A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK44N55Q
  仓库库存编号：IXFK44N55Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 22A I5-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 22A（Tc） 357W（Tc） ISOPLUS264?
  
  型号：IXFL44N100P
  仓库库存编号：IXFL44N100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 170A（Tc） 1250W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB170N30P
  仓库库存编号：IXFB170N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 200A（Tc） 1040W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXTX200N10L2
  仓库库存编号：IXTX200N10L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 39A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 39A（Tc） 694W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN44N80P
  仓库库存编号：IXFN44N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 66A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 300V 66A（Tc） 400W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFE73N30Q
  仓库库存编号：IXFE73N30Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 135A 781W TMAX
  详细描述：IGBT NPT 1200V 135A 781W Through Hole
  
  型号：APT50GF120B2RG
  仓库库存编号：APT50GF120B2RG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 50A（Tc） 625W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN64N50PD3
  仓库库存编号：IXFN64N50PD3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 48A（Tc） 500W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN48N50Q
  仓库库存编号：IXFN48N50Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  MOSFET N-CH 500V 40A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 40A（Tc） 543W（Tc） SOT-227
  
  型号：VS-FA40SA50LC
  仓库库存编号：VS-FA40SA50LC-ND
  别名：VSFA40SA50LC
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 84A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 84A（Tc） 1135W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT84F50L
  仓库库存编号：APT84F50L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 26A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 26A（Tc） 780W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX26N100P
  仓库库存编号：IXFX26N100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 47A（Tc） 1135W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT44F80B2
  仓库库存编号：APT44F80B2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 52A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 52A（Tc） 735W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK52N60Q2
  仓库库存编号：IXFK52N60Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 52A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 52A（Tc） 735W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX52N60Q2
  仓库库存编号：IXFX52N60Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 50A SMPD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 50A（Tc） ISOPLUS-SMPD?.B
  
  型号：MKE38RK600DFELB
  仓库库存编号：MKE38RK600DFELB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 29A I5-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 29A（Tc） 520W（Tc） ISOPLUSi5-Pak?
  
  型号：IXFL38N100P
  仓库库存编号：IXFL38N100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 170A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 170A（Tc） 560W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK170N10
  仓库库存编号：IXFK170N10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 26A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 26A（Tc） 780W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK26N100P
  仓库库存编号：IXFK26N100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 44A（Tc） 500W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN44N50Q
  仓库库存编号：IXFN44N50Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 25A ISO264
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 25A（Tc） 250W（Tc） ISO264?
  
  型号：IXKG25N80C
  仓库库存编号：IXKG25N80C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1700V 26A 200W ISOPLUS247
  详细描述：IGBT NPT 1700V 26A 200W Through Hole ISOPLUS247?
  
  型号：IXGR32N170AH1
  仓库库存编号：IXGR32N170AH1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1700V 38A 200W ISOPLUS247
  详细描述：IGBT NPT 1700V 38A 200W Through Hole ISOPLUS247?
  
  型号：IXGR32N170H1
  仓库库存编号：IXGR32N170H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索