以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 29A（Tc） 625W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN32N80P
  仓库库存编号：IXFN32N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1700V 60A 250W TO268
  详细描述：IGBT 1700V 60A 250W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXBT24N170
  仓库库存编号：IXBT24N170-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC-5
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 75A Surface Mount ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FMK75-01F
  仓库库存编号：FMK75-01F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 23A TO264
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 23A（Tc） 1040W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT22F120L
  仓库库存编号：APT22F120L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 35A（Tc） 500W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT6017LLLG
  仓库库存编号：APT6017LLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1200V 40A 150W TO268
  详细描述：IGBT 1200V 40A 150W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXGT20N120
  仓库库存编号：IXGT20N120-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 14A（Tc） 403W（Tc） D3 [S]
  
  型号：APT10078SLLG
  仓库库存编号：APT10078SLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 47A I4-PAC-5
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 47A（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FDM47-06KC5
  仓库库存编号：FDM47-06KC5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 47A I4-PAC-5
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 47A（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FMD47-06KC5
  仓库库存编号：FMD47-06KC5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 40A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT40N60JCU3
  仓库库存编号：APT40N60JCU3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 600V 145A 400W SMPD
  详细描述：IGBT 600V 145A 400W Surface Mount 24-SMPD
  
  型号：MMIX1X100N60B3H1
  仓库库存编号：MMIX1X100N60B3H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 550V 44A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 44A（Tc） 500W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX44N55Q
  仓库库存编号：IXFX44N55Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 70A ISOPLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 70A（Tc） 625W（Tc） ISOPLUS264?
  
  型号：IXFL100N50P
  仓库库存编号：IXFL100N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 55A ISOPLUS 264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 55A（Tc） 625W（Tc） ISOPLUS264?
  
  型号：IXFL82N60P
  仓库库存编号：IXFL82N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• TT Electronics/Optek Technology
  MOSFET N-CH 60V 200MA SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 300mW（Ta） 3-SMD
  
  型号：HCT7000M
  仓库库存编号：HCT7000M-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 35A（Tc） 500W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT6017LFLLG
  仓库库存编号：APT6017LFLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOD DIODE 1200V SOT-227
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1200V 75A Chassis Mount SOT-227
  
  型号：APT75DL120HJ
  仓库库存编号：APT75DL120HJ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 50A SMPD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 50A（Tc） ISOPLUS-SMPD?.B
  
  型号：MKE38RK600DFELB-TRR
  仓库库存编号：MKE38RK600DFELB-TRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 70A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 70A（Tc） 1135W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT66M60L
  仓库库存编号：APT66M60L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET P-CH 200V 90A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 90A（Tc） 595W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXTR120P20T
  仓库库存编号：IXTR120P20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 158A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 195A（Tc） 595W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXTR210P10T
  仓库库存编号：IXTR210P10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 176A ISOPLUS227
  详细描述：底座安装 N 沟道 100V 176A（Tc） 500W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFE180N10
  仓库库存编号：IXFE180N10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 70A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 70A（Tc） 1135W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT66F60L
  仓库库存编号：APT66F60L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 60A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 60A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH60N10
  仓库库存编号：IXTH60N10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 75A 347W SOT227
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 75A 347W Chassis Mount SOT-227
  
  型号：APT50GT120JU2
  仓库库存编号：APT50GT120JU2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索