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• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 26A PLUS 247
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 26A（Tc） 560W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX26N90
  仓库库存编号：IXFX26N90-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 35A 260W SOT-227
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 55A 260W Chassis Mount SOT-227
  
  型号：APT35GT120JU2
  仓库库存编号：APT35GT120JU2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 55A 260W SOT227
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 55A 260W Chassis Mount SOT-227
  
  型号：APT35GT120JU3
  仓库库存编号：APT35GT120JU3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 28A（Tc） 416W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR34N80
  仓库库存编号：IXFR34N80-ND
  别名：Q1149424
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 27A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 27A（Tc） 500W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR27N80Q
  仓库库存编号：IXFR27N80Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS 247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 21A（Tc） 500W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX21N100Q
  仓库库存编号：IXFX21N100Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1700V 42A 357W TO268
  详细描述：IGBT 1700V 42A 357W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXBT42N170A
  仓库库存编号：IXBT42N170A-ND
  别名：IXBT42N170A -ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 160A 600V SOT-227B
  详细描述：IGBT Module PT Single 600V 160A 360W Chassis Mount SOT-227B
  
  型号：IXGN72N60A3
  仓库库存编号：IXGN72N60A3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 106A 694W TO-247
  详细描述：IGBT NPT 1200V 106A 694W Through Hole
  
  型号：APT50GT120B2RDLG
  仓库库存编号：APT50GT120B2RDLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 164A 1040W PLUS264
  详细描述：IGBT 1200V 164A 1040W Through Hole PLUS264?
  
  型号：IXYB82N120C3H1
  仓库库存编号：IXYB82N120C3H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 900V 25A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 25A（Tc） 560W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK25N90
  仓库库存编号：IXFK25N90-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 35A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 35A（Tc） 416W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK35N50
  仓库库存编号：IXFK35N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1000V 21A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 21A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK21N100Q
  仓库库存编号：IXFK21N100Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 9A（Tc） 300W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT1201R4BFLLG
  仓库库存编号：APT1201R4BFLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 21A（Tc） 300W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR40N90P
  仓库库存编号：IXFR40N90P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 40A（Tc） 960W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK40N90P
  仓库库存编号：IXFK40N90P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 50A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 50A（Tc） 560W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK50N50
  仓库库存编号：IXFK50N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 900V 24A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 24A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK24N90Q
  仓库库存编号：IXFK24N90Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 32A（Tc） 500W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR48N60Q3
  仓库库存编号：IXFR48N60Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 18A（Tc） 500W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR24N100Q3
  仓库库存编号：IXFR24N100Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1700V 60A 250W TO247
  详细描述：IGBT 1700V 60A 250W Through Hole TO-247AD (IXBH)
  
  型号：IXBH24N170
  仓库库存编号：IXBH24N170-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 35A TO264
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 35A（Tc） 1135W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT34F100L
  仓库库存编号：APT34F100L-ND
  别名：APT34F100LMI
  APT34F100LMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 50A 200W TO247AD
  详细描述：IGBT 1200V 50A 200W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH25N120
  仓库库存编号：IXGH25N120-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 300V 88A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN102N30P
  仓库库存编号：IXFN102N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 50A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 50A（Tc） 520W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX50N50
  仓库库存编号：IXFX50N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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