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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 27A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 27A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK27N80Q
  仓库库存编号：IXFK27N80Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 60V 180A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 180A（Tc） 560W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR180N06
  仓库库存编号：IXFR180N06-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 36A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 36A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK36N60
  仓库库存编号：IXFK36N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 198A 833W TO264
  详细描述：IGBT PT 600V 198A 833W Through Hole
  
  型号：APT65GP60L2DQ2G
  仓库库存编号：APT65GP60L2DQ2G-ND
  别名：APT65GP60L2DQ2GMI
  APT65GP60L2DQ2GMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1KV 9.5A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 9.5A（Tc） 200W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR14N100Q2
  仓库库存编号：IXFR14N100Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 38A（Tc） 400W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR44N60
  仓库库存编号：IXFR44N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 900V 26A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 26A（Tc） 560W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK26N90
  仓库库存编号：IXFK26N90-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 260A 1250W TO264
  详细描述：IGBT PT 1200V 260A 1250W Through Hole TO-264 (IXGK)
  
  型号：IXGK82N120A3
  仓库库存编号：IXGK82N120A3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 230A 1250W TO264
  详细描述：IGBT PT 1200V 230A 1250W Through Hole TO-264 (IXGK)
  
  型号：IXGK82N120B3
  仓库库存编号：IXGK82N120B3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS 247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 24A（Tc） 560W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX24N100
  仓库库存编号：IXFX24N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1500V 20A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1500V 20A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXTX20N150
  仓库库存编号：IXTX20N150-ND
  别名：Q6873231
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 900V 24A PLUS 247
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 24A（Tc） 500W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX24N90Q
  仓库库存编号：IXFX24N90Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 44A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 47A（Tc） 1135W（Tc） TO-264
  
  型号：APT44F80L
  仓库库存编号：APT44F80L-ND
  别名：APT44F80LMI
  APT44F80LMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 23A TO-268(D3)
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 23A（Tc） 500W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT23N80Q
  仓库库存编号：IXFT23N80Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD
  详细描述：IGBT Array PT Half Bridge 1200V 63A 230W Surface Mount ISOPLUS-SMPD?.B
  
  型号：IXA40PG1200DHGLB
  仓库库存编号：IXA40PG1200DHGLB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 900V 7A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 7A（Tc） 180W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT7N90Q
  仓库库存编号：IXFT7N90Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 100V 210A PLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 210A（Tc） 1040W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXTX210P10T
  仓库库存编号：IXTX210P10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1200V 20A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 20A（Tc） 780W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK20N120P
  仓库库存编号：IXFK20N120P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 100A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 100A（Tc） 520W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT20M22LVFRG
  仓库库存编号：APT20M22LVFRG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1KV 22A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 22A（Tc） 416W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR24N100
  仓库库存编号：IXFR24N100-ND
  别名：Q1157068B
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 82A PLUS 264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 82A（Tc） 1250W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB82N60P
  仓库库存编号：IXFB82N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 40A ISOPLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 40A（Tc） 625W（Tc） ISOPLUS264?
  
  型号：IXFL60N80P
  仓库库存编号：IXFL60N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 100A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK100N10
  仓库库存编号：IXFK100N10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1200V 13A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 13A（Tc） 290W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR20N120P
  仓库库存编号：IXFR20N120P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1700V 42A 357W TO247
  详细描述：IGBT 1700V 42A 357W Through Hole TO-247AD (IXBH)
  
  型号：IXBH42N170A
  仓库库存编号：IXBH42N170A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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