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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 15A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH15N100
  仓库库存编号：IXFH15N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 60A 220W TO263
  详细描述：IGBT PT 600V 60A 220W Surface Mount TO-263 (IXGA)
  
  型号：IXGA30N60C3C1
  仓库库存编号：IXGA30N60C3C1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 33A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 33A（Tc） 416W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK33N50
  仓库库存编号：IXTK33N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 18A（Tc） 320W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR32N100P
  仓库库存编号：IXFR32N100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 41A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT38F80B2
  仓库库存编号：APT38F80B2-ND
  别名：APT38F80B2MI
  APT38F80B2MI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 300V 70A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 70A（Tc） 830W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT70N30Q3
  仓库库存编号：IXFT70N30Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 44A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 44A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK44N50Q
  仓库库存编号：IXFK44N50Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 900V 101A 543W TMAX
  详细描述：IGBT PT 900V 101A 543W Through Hole
  
  型号：APT40GP90B2DQ2G
  仓库库存编号：APT40GP90B2DQ2G-ND
  别名：APT40GP90B2DQ2GMI
  APT40GP90B2DQ2GMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1700V 24A 250W TO268
  详细描述：IGBT NPT 1700V 24A 250W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXGT24N170AH1
  仓库库存编号：IXGT24N170AH1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD
  详细描述：IGBT Array PT Half Bridge 1200V 43A 150W Surface Mount ISOPLUS-SMPD?.B
  
  型号：IXA30PG1200DHGLB
  仓库库存编号：IXA30PG1200DHGLB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET 2N-CH 600V 12A I4-PAC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 600V 12A 130W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FMM22-06PF
  仓库库存编号：FMM22-06PF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 300V 75A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 75A（Tc） 417W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR90N30
  仓库库存编号：IXFR90N30-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 250V 100A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 100A（Tc） 560W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK100N25
  仓库库存编号：IXFK100N25-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 125A 460W TO264
  详细描述：IGBT PT 1200V 125A 460W Through Hole TO-264 (IXGK)
  
  型号：IXGK55N120A3H1
  仓库库存编号：IXGK55N120A3H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 900V 25A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 25A（Tc） 560W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX25N90
  仓库库存编号：IXFX25N90-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 10A（Tc） 250W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR12N100Q
  仓库库存编号：IXFR12N100Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1000V 14A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 14A（Tc） 360W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT14N100
  仓库库存编号：IXFT14N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD
  详细描述：IGBT Array PT Half Bridge 1200V 63A 230W Surface Mount ISOPLUS-SMPD?.B
  
  型号：IXA40PG1200DHGLB-TRR
  仓库库存编号：IXA40PG1200DHGLB-TRR-ND
  
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  MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 12A（Tc） 298W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT10090BFLLG
  仓库库存编号：APT10090BFLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 84A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 84A（Tc） 1135W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT84F50B2
  仓库库存编号：APT84F50B2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 165A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 165A（Tc） 400W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR180N10
  仓库库存编号：IXFR180N10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 75A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 75A（Tc） 1040W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT75F50L
  仓库库存编号：APT75F50L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 30A TO264
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 30A（Tc） 1040W（Tc） TO-264
  
  型号：APT29F100L
  仓库库存编号：APT29F100L-ND
  别名：APT29F100LMI
  APT29F100LMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1700V 44A 200W I4PAC
  详细描述：IGBT NPT 1700V 44A 200W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXGF32N170
  仓库库存编号：IXGF32N170-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 150V 105A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 105A（Tc） 400W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR150N15
  仓库库存编号：IXFR150N15-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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