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• IXYS
  IGBT 600V 320A 1000W TO264AA
  详细描述：IGBT PT 600V 320A 1000W Through Hole TO-264 (IXGK)
  
  型号：IXGK320N60A3
  仓库库存编号：IXGK320N60A3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 300V 400A 1000W TO264AA
  详细描述：IGBT PT 300V 400A 1000W Through Hole TO-264 (IXGK)
  
  型号：IXGK400N30A3
  仓库库存编号：IXGK400N30A3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 3000V
  详细描述：IGBT 3000V 50A 417W Through Hole ISOPLUSi5-Pak?
  
  型号：IXBL20N300C
  仓库库存编号：IXBL20N300C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 73A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 73A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK73N30
  仓库库存编号：IXFK73N30-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 73A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 73A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK73N30Q
  仓库库存编号：IXFK73N30Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 34A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 34A（Tc） 310W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR44N50Q
  仓库库存编号：IXFR44N50Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 120A（Tc） 560W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX120N25
  仓库库存编号：IXFX120N25-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 650V 97A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 97A（Tc） 862W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT97N65LC6
  仓库库存编号：APT97N65LC6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 75A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX?
  
  型号：APT75M50B2
  仓库库存编号：APT75M50B2-ND
  别名：APT75M50B2MI
  APT75M50B2MI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1000V 32A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 32A（Tc） 960W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK32N100P
  仓库库存编号：IXFK32N100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 500A 1700W TO264
  详细描述：IGBT PT 600V 500A 1700W Through Hole TO-264 (IXGK)
  
  型号：IXGK320N60B3
  仓库库存编号：IXGK320N60B3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 250V 120A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 120A（Tc） 560W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK120N25
  仓库库存编号：IXFK120N25-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 150V 150A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 150A（Tc） 560W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK150N15
  仓库库存编号：IXFK150N15-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  DIODE MODULE 1.6V SOT227
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1600V Chassis, Stud Mount SOT-227
  
  型号：APT90DR160HJ
  仓库库存编号：APT90DR160HJ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 70A 350W PLUS247
  详细描述：IGBT 1200V 70A 350W Through Hole TO-264 (IXGK)
  
  型号：IXGK35N120CD1
  仓库库存编号：IXGK35N120CD1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1700V 16A 120W ISOPLUS247
  详细描述：IGBT 1700V 16A 120W Through Hole ISOPLUS247?
  
  型号：IXGR16N170AH1
  仓库库存编号：IXGR16N170AH1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 75A 521W D3PAK
  详细描述：IGBT NPT 1200V 75A 521W Surface Mount D3Pak
  
  型号：APT25GR120SSCD10
  仓库库存编号：APT25GR120SSCD10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 40A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 40A（Tc） 500W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT40N50Q
  仓库库存编号：IXFT40N50Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 900V 16A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 16A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH16N90Q
  仓库库存编号：IXFH16N90Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 32A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT31M100B2
  仓库库存编号：APT31M100B2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 70V 180A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 70V 180A（Tc） 417W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR180N07
  仓库库存编号：IXFR180N07-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 85V 180A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 180A（Tc） 400W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR180N085
  仓库库存编号：IXFR180N085-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 200V 160A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 160A（Tc） 730W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK160N20
  仓库库存编号：IXTK160N20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 106A 694W TO264
  详细描述：IGBT NPT 1200V 106A 694W Through Hole TO-264 [L]
  
  型号：APT50GT120LRDQ2G
  仓库库存编号：APT50GT120LRDQ2G-ND
  别名：APT50GT120LRDQ2GMI
  APT50GT120LRDQ2GMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 15A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH15N100Q
  仓库库存编号：IXFH15N100Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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