以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 24A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 24A（Tc） 400W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH24N50L
  仓库库存编号：IXTH24N50L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 25A（Tc） 300W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR44N80P
  仓库库存编号：IXFR44N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 60A（Tc） 431W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT60N60SCSG/TR
  仓库库存编号：APT60N60SCSG/TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1200V 70A 350W PLUS247
  详细描述：IGBT 1200V 70A 350W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXGX35N120BD1
  仓库库存编号：IXGX35N120BD1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 20A（Tc） 280W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP460LC
  仓库库存编号：IRFP460LC-ND
  别名：*IRFP460LC
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 90A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 90A（Tc） 1100W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX90N60X
  仓库库存编号：IXFX90N60X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 650V 47A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 47A（Tc） 417W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT47N65BC3G
  仓库库存编号：APT47N65BC3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1200V 75A 380W TO268
  详细描述：IGBT PT 1200V 75A 380W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXGT40N120B2D1
  仓库库存编号：IXGT40N120B2D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 12A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 12A（Tc） 300W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX12N90Q
  仓库库存编号：IXFX12N90Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 90A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 90A（Tc） 390W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK90N15
  仓库库存编号：IXTK90N15-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 12A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT12N100
  仓库库存编号：IXFT12N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 44A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 44A（Tc） 500W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX44N50Q
  仓库库存编号：IXFX44N50Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 32A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 32A（Tc） 960W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX32N90P
  仓库库存编号：IXFX32N90P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOD DIODE 200V SOT-227
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 90A Chassis Mount SOT-227
  
  型号：APT60DF20HJ
  仓库库存编号：APT60DF20HJ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 47A（Tc） TO-247AD（IXKH）
  
  型号：IXKH47N60C
  仓库库存编号：IXKH47N60C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 32A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 32A（Tc） 960W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK32N90P
  仓库库存编号：IXFK32N90P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 12A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH12N120
  仓库库存编号：IXFH12N120-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 2500V 5A 32W TO268
  详细描述：IGBT 2500V 5A 32W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXBT2N250
  仓库库存编号：IXBT2N250-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET P-CH 500V 22A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 500V 22A（Tc） 312W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXTR40P50P
  仓库库存编号：IXTR40P50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 550V 36A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 36A（Tc） 560W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH36N55Q2
  仓库库存编号：IXFH36N55Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 26A PLUS 247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 26A（Tc） 360W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX26N60Q
  仓库库存编号：IXFX26N60Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 2500V 13A 150W TO247
  详细描述：IGBT 2500V 13A 150W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH4N250C
  仓库库存编号：IXGH4N250C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 94A 625W TO247
  详细描述：IGBT NPT 1200V 94A 625W Through Hole
  
  型号：APT50GT120B2RDQ2G
  仓库库存编号：APT50GT120B2RDQ2G-ND
  别名：APT50GT120B2RDQ2GMI
  APT50GT120B2RDQ2GMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 75A 521W TO247
  详细描述：IGBT NPT 1200V 75A 521W Through Hole TO-247
  
  型号：APT25GR120BSCD10
  仓库库存编号：APT25GR120BSCD10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 73A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 73A（Tc） 500W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX73N30Q
  仓库库存编号：IXFX73N30Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索