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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 200A 833W TMAX
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 200A 833W Through Hole
  
  型号：APT75GN120B2G
  仓库库存编号：APT75GN120B2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 56A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 56A（Tc） 780W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT56F50L
  仓库库存编号：APT56F50L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 25A（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXKC25N80C
  仓库库存编号：IXKC25N80C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 16A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1200V 16A（Tc） 660W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT16N120P
  仓库库存编号：IXFT16N120P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 12.5A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH13N100
  仓库库存编号：IXFH13N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 52A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 52A（Tc） 360W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT52N30Q
  仓库库存编号：IXFT52N30Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 90A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 90A（Tc） 500W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX90N20Q
  仓库库存编号：IXFX90N20Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 70A 200W ISOPLUS247
  详细描述：IGBT PT 1200V 70A 200W Through Hole ISOPLUS247?
  
  型号：IXGR55N120A3H1
  仓库库存编号：IXGR55N120A3H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 27A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 27A（Tc） 500W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP27N60K
  仓库库存编号：IRFP27N60K-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 40A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 40A（Tc） 540W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH40N50L2
  仓库库存编号：IXTH40N50L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 56A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 60A（Tc） 1040W（Tc） TO-264
  
  型号：APT56M60L
  仓库库存编号：APT56M60L-ND
  别名：APT56M60LMI
  APT56M60LMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
  详细描述：IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX? [B2]
  
  型号：APT70GR65B2SCD30
  仓库库存编号：APT70GR65B2SCD30-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 20A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 20A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH20N80Q
  仓库库存编号：IXFH20N80Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 23A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 23A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH23N80Q
  仓库库存编号：IXFH23N80Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 35A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 35A（Tc） 403W（Tc） D3 [S]
  
  型号：APT5014SLLG
  仓库库存编号：APT5014SLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 500V 10A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 500V 10A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT10P50
  仓库库存编号：IXTT10P50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 14A（Tc） 360W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH14N100
  仓库库存编号：IXTH14N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N/P-CH 150V 36A/22A I4PAC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 150V 36A, 22A 125W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FMP36-015P
  仓库库存编号：FMP36-015P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 200A 695W TO247
  详细描述：IGBT PT 600V 200A 695W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXXX100N60B3H1
  仓库库存编号：IXXX100N60B3H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 56A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 60A（Tc） 1040W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT56M60B2
  仓库库存编号：APT56M60B2-ND
  别名：APT56M60B2MP
  APT56M60B2MP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECT BRIDGE GPP 800V 35A SCVB
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 800V 35A QC Terminal SCVB
  
  型号：SC35VB80-G
  仓库库存编号：641-1390-ND
  别名：641-1390
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 70A 350W TO264AA
  详细描述：IGBT 1200V 70A 350W Through Hole TO-264 (IXGK)
  
  型号：IXGK35N120BD1
  仓库库存编号：IXGK35N120BD1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 100A 625W TO247
  详细描述：IGBT PT 600V 100A 625W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT50GP60BG
  仓库库存编号：APT50GP60BG-ND
  别名：APT50GP60BGMI
  APT50GP60BGMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 70A 200W ISOPLUS247
  详细描述：IGBT PT 1200V 70A 200W Through Hole ISOPLUS247?
  
  型号：IXGR35N120B
  仓库库存编号：IXGR35N120B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 12A（Tc） 400W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH12N100L
  仓库库存编号：IXTH12N100L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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