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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 32A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 32A（Tc） 416W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK32N50Q
  仓库库存编号：IXFK32N50Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 12A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH12N100Q
  仓库库存编号：IXFH12N100Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 70A 300W TO268
  详细描述：IGBT PT 1200V 70A 300W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXGT35N120B
  仓库库存编号：IXGT35N120B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD
  详细描述：IGBT 1200V 43A 147W Surface Mount ISOPLUS-SMPD?.B
  
  型号：IXA30RG1200DHGLB
  仓库库存编号：IXA30RG1200DHGLB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 70A 350W TO264AA
  详细描述：IGBT PT 1200V 70A 350W Through Hole TO-264 (IXGK)
  
  型号：IXGK35N120B
  仓库库存编号：IXGK35N120B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 80A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 360W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT80N10Q
  仓库库存编号：IXFT80N10Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 12A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH12N100
  仓库库存编号：IXTH12N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 200V 80A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 80A（Tc） 520W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT80N20L
  仓库库存编号：IXTT80N20L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 32A（Tc） 360W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX32N50
  仓库库存编号：IXFX32N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 70A 350W PLUS247
  详细描述：IGBT PT 1200V 70A 350W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXGX35N120B
  仓库库存编号：IXGX35N120B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 75A 540W TO264
  详细描述：IGBT PT 600V 75A 540W Through Hole TO-264 (IXGK)
  
  型号：IXGK72N60B3H1
  仓库库存编号：IXGK72N60B3H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1KV 3.5A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 3.5A（Tc） 80W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR4N100Q
  仓库库存编号：IXFR4N100Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 26A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 26A（Tc） 360W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT26N60Q
  仓库库存编号：IXFT26N60Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 23A（Tc） 310W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR26N60Q
  仓库库存编号：IXFR26N60Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 310W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR32N50Q
  仓库库存编号：IXFR32N50Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1700V 5.5A 50W ISOPLUS247
  详细描述：IGBT 1700V 5.5A 50W Through Hole ISOPLUS247?
  
  型号：IXGR6N170A
  仓库库存编号：IXGR6N170A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N/P-CH 100V 62A/54A I4PAC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 100V 62A, 54A 89W, 132W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FMP76-010T
  仓库库存编号：FMP76-010T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1700V 24A 250W TO268
  详细描述：IGBT NPT 1700V 24A 250W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXGT24N170A
  仓库库存编号：IXGT24N170A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 250V 62A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 62A（Tc） 390W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK62N25
  仓库库存编号：IXTK62N25-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 20A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 20A（Tc） 360W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK20N80Q
  仓库库存编号：IXFK20N80Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 26A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 26A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH26N60Q
  仓库库存编号：IXFH26N60Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 36A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 36A（Tc） 624W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT34M60B
  仓库库存编号：APT34M60B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 900V 16A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 16A（Tc） 360W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK16N90Q
  仓库库存编号：IXFK16N90Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1700V 50A 250W TO247AD
  详细描述：IGBT NPT 1700V 50A 250W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH24N170
  仓库库存编号：IXGH24N170-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 200V 80A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 80A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH80N20Q
  仓库库存编号：IXFH80N20Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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