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• IXYS
  MOSFET N-CH 80V 80A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 80A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT80N08
  仓库库存编号：IXFT80N08-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 60A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 60A（Tc） 360W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK60N25Q
  仓库库存编号：IXFK60N25Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 150A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 150A（Tc） 890W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT150N20T
  仓库库存编号：IXFT150N20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 94A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 94A（Tc） 890W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT94N30T
  仓库库存编号：IXFT94N30T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1700V 50A 250W TO268
  详细描述：IGBT NPT 1700V 50A 250W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXGT24N170
  仓库库存编号：IXGT24N170-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1000V 14A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 14A（Tc） 360W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX14N100
  仓库库存编号：IXFX14N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 95A 460W PLUS247
  详细描述：IGBT PT 1200V 95A 460W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXGX50N120C3H1
  仓库库存编号：IXGX50N120C3H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD
  详细描述：IGBT Array PT Single 1200V 63A 230W Surface Mount ISOPLUS-SMPD?.B
  
  型号：IXA40RG1200DHGLB-TRR
  仓库库存编号：IXA40RG1200DHGLB-TRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 900V 117A 500W TO-264
  详细描述：IGBT PT 900V 117A 500W Through Hole TO-264 [L]
  
  型号：APT64GA90LD30
  仓库库存编号：APT64GA90LD30-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 32A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 32A（Tc） 360W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT32N50Q
  仓库库存编号：IXFT32N50Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1700V 24A 250W TO247AD
  详细描述：IGBT NPT 1700V 24A 250W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH24N170A
  仓库库存编号：IXGH24N170A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 32A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 32A（Tc） 360W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT32N50
  仓库库存编号：IXFT32N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 32A（Tc） 416W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX32N50Q
  仓库库存编号：IXFX32N50Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 900V 12A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 12A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH12N90
  仓库库存编号：IXTH12N90-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 30A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 30A（Tc） 400W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT30N50L2
  仓库库存编号：IXTT30N50L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT MODULE 1200V 105A SMPD
  详细描述：IGBT Array PT Half Bridge 1200V 32A 130W Surface Mount ISOPLUS-SMPD?.B
  
  型号：IXA20PG1200DHGLB
  仓库库存编号：IXA20PG1200DHGLB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 15A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 15A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH15N80
  仓库库存编号：IXFH15N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 17A（Tc） 400W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH17N80Q
  仓库库存编号：IXFH17N80Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 150V 75A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 75A（Tc） 310W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR80N15Q
  仓库库存编号：IXFR80N15Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 30A TO-268(D3)
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 30A（Tc） 500W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT30N60Q
  仓库库存编号：IXFT30N60Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 38A 125W I4PAC5
  详细描述：IGBT NPT 600V 38A 125W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FID35-06C
  仓库库存编号：FID35-06C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 329W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT5016BFLLG
  仓库库存编号：APT5016BFLLG-ND
  
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  MOSFET N-CH 600V 26A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 26A（Tc） 360W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK26N60Q
  仓库库存编号：IXFK26N60Q-ND
  
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  MOSFET N-CH 900V 12A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 12A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH12N90
  仓库库存编号：IXFH12N90-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 15A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 15A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT15N80Q
  仓库库存编号：IXFT15N80Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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