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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 60A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 60A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH60N25Q
  仓库库存编号：IXFH60N25Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 150A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 150A（Tc） 890W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH150N20T
  仓库库存编号：IXFH150N20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 48A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 48A（Tc） 830W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK48N60P
  仓库库存编号：IXFK48N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 9A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 9A（Tc） 180W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT9N80Q
  仓库库存编号：IXFT9N80Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 200V 72A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 72A（Tc） 400W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT72N20
  仓库库存编号：IXTT72N20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 23A（Tc） 400W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT23N60Q
  仓库库存编号：IXFT23N60Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 900V 47A 160W ISOPLUS247
  详细描述：IGBT PT 900V 47A 160W Through Hole ISOPLUS247?
  
  型号：IXGR32N90B2D1
  仓库库存编号：IXGR32N90B2D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 14A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 14A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH14N80
  仓库库存编号：IXTH14N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT MODULE 1200V 105A SMPD
  详细描述：IGBT Array PT Half Bridge 1200V 32A 130W Surface Mount ISOPLUS-SMPD?.B
  
  型号：IXA20PG1200DHGLB-TRR
  仓库库存编号：IXA20PG1200DHGLB-TRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 300V 75A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 75A（Tc） 540W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK75N30
  仓库库存编号：IXTK75N30-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 550V 36A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 36A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH36N55Q
  仓库库存编号：IXFH36N55Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 329W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT5016BLLG
  仓库库存编号：APT5016BLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 75A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 75A（Tc） 400W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH75N10L2
  仓库库存编号：IXTH75N10L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 67A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 67A（Tc） 370W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT20M38BVRG
  仓库库存编号：APT20M38BVRG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 160A 961W TO247
  详细描述：IGBT NPT 1200V 160A 961W Through Hole TO-247
  
  型号：APT70GR120B2
  仓库库存编号：APT70GR120B2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 200V 88A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 88A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK88N20Q
  仓库库存编号：IXFK88N20Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 200V 50A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 50A（Tc） 300W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR58N20
  仓库库存编号：IXFR58N20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 75A 200W ISOPLUS247
  详细描述：IGBT PT 600V 75A 200W Through Hole ISOPLUS247?
  
  型号：IXGR72N60B3H1
  仓库库存编号：IXGR72N60B3H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 75A 200W ISOPLUS247
  详细描述：IGBT PT 600V 75A 200W Through Hole ISOPLUS247?
  
  型号：IXGR72N60A3H1
  仓库库存编号：IXGR72N60A3H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT PHASELEG 1200V 43A SMPD
  详细描述：IGBT 1200V 43A 147W Surface Mount ISOPLUS-SMPD?.B
  
  型号：IXA30RG1200DHGLB-TRR
  仓库库存编号：IXA30RG1200DHGLB-TRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 121A 520W TO-264
  详细描述：IGBT PT 600V 121A 520W Through Hole TO-264 [L]
  
  型号：APT68GA60LD40
  仓库库存编号：APT68GA60LD40-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 121A 520W TO-247
  详细描述：IGBT PT 600V 121A 520W Through Hole
  
  型号：APT68GA60B2D40
  仓库库存编号：APT68GA60B2D40-ND
  
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  MOSFET N-CH 500V 35A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 35A（Tc） 300W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR64N50P
  仓库库存编号：IXFR64N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 32A（Tc） 300W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR48N60P
  仓库库存编号：IXFR48N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 50A 250W TO247
  详细描述：IGBT PT 1200V 50A 250W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH28N120BD1
  仓库库存编号：IXGH28N120BD1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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