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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH20N60
  仓库库存编号：IXTH20N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 20A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT20N60Q
  仓库库存编号：IXFT20N60Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 128A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 128A（Tc） 540W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK128N15
  仓库库存编号：IXTK128N15-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 250V 80A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 80A（Tc） 540W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK80N25
  仓库库存编号：IXTK80N25-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 74A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 74A（Tc） 360W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT74N20
  仓库库存编号：IXFT74N20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 10A（Tc） 400W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH10N100D
  仓库库存编号：IXTH10N100D-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 30A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH30N60Q
  仓库库存编号：IXFH30N60Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 75A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH75N10Q
  仓库库存编号：IXFH75N10Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1200V 14A（Tc） 625W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT13F120S
  仓库库存编号：APT13F120S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 75A 540W PLUS247
  详细描述：IGBT PT 600V 75A 540W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXGX72N60C3H1
  仓库库存编号：IXGX72N60C3H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 30A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 30A（Tc） 400W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT30N50L
  仓库库存编号：IXTT30N50L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 21A I4-PAC-5
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 21A（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FMD21-05QC
  仓库库存编号：FMD21-05QC-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 300V 52A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 52A（Tc） 360W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK52N30Q
  仓库库存编号：IXFK52N30Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 67A（Tc） 370W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT20M38SVRG/TR
  仓库库存编号：APT20M38SVRG/TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 20A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 20A（Tc） 300W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR32N80P
  仓库库存编号：IXFR32N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1600V 75A 300W TO268
  详细描述：IGBT NPT 1600V 75A 300W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXGT25N160
  仓库库存编号：IXGT25N160-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 75A 540W PLUS247
  详细描述：IGBT PT 600V 75A 540W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXGX72N60B3H1
  仓库库存编号：IXGX72N60B3H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 48A（Tc） 830W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX48N60P
  仓库库存编号：IXFX48N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 56A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 56A（Tc） 300W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT20M45BVFRG
  仓库库存编号：APT20M45BVFRG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 80A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 80A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH80N15Q
  仓库库存编号：IXFH80N15Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 10A（Tc） 695W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT10N100D2
  仓库库存编号：IXTT10N100D2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 28A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 28A（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXKC40N60C
  仓库库存编号：IXKC40N60C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 45.8A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 45.8A（Tc） 368W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH47N60NF
  仓库库存编号：FCH47N60NF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 60A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 60A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT60N10
  仓库库存编号：IXTT60N10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 100V 140A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 140A（Tc） 568W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH140P10T
  仓库库存编号：IXTH140P10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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