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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 11A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 11A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH11N80
  仓库库存编号：IXFH11N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 88A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 88A（Tc） 600W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK88N30P
  仓库库存编号：IXFK88N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 12A（Tc） 543W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH12N120P
  仓库库存编号：IXFH12N120P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 30A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 30A（Tc） 200W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH30N25
  仓库库存编号：IXTH30N25-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 500V 10A TO-247AD
  详细描述：通孔 P 沟道 500V 10A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH10P50
  仓库库存编号：IXTH10P50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Cree/Wolfspeed
  MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 35A（Tc） 113W（Tc） D2PAK-7
  
  型号：C3M0065090J-TR
  仓库库存编号：C3M0065090J-TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 32A 125W SMPD
  详细描述：IGBT PT 1200V 32A 125W Surface Mount ISOPLUS-SMPD?.B
  
  型号：IXA20RG1200DHGLB
  仓库库存编号：IXA20RG1200DHGLB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1000V 16A 54W TO263
  详细描述：IGBT PT 1000V 16A 54W Surface Mount TO-263 (IXGA)
  
  型号：IXGA8N100
  仓库库存编号：IXGA8N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1000V 16A 54W TO220
  详细描述：IGBT PT 1000V 16A 54W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IXGP8N100
  仓库库存编号：IXGP8N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 10A（Tc） 695W（Tc） TO-247
  
  型号：IXTH10N100D2
  仓库库存编号：IXTH10N100D2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1600V 7A 70W I4PAC
  详细描述：IGBT 1600V 7A 70W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXBF9N160G
  仓库库存编号：IXBF9N160G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 24A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 24A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT24N50
  仓库库存编号：IXFT24N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 100A 543W TO247
  详细描述：IGBT PT 600V 100A 543W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT40GP60BG
  仓库库存编号：APT40GP60BG-ND
  别名：APT40GP60BGMI
  APT40GP60BGMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 47A（Tc） 368W（Tc） TO-247-3
  
  型号：FCH47N60N
  仓库库存编号：FCH47N60N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 150V 48A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 48A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH48N15
  仓库库存编号：IXTH48N15-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1600V 75A 300W TO247
  详细描述：IGBT NPT 1600V 75A 300W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH25N160
  仓库库存编号：IXGH25N160-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 42A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 42A（Tc） 625W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT42F50S
  仓库库存编号：APT42F50S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1200V 75A 360W TO247
  详细描述：IGBT PT 1200V 75A 360W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH40N120A2
  仓库库存编号：IXGH40N120A2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 300V 102A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 102A（Tc） 700W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK102N30P
  仓库库存编号：IXTK102N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 30A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 400W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ30N50L
  仓库库存编号：IXTQ30N50L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 30A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 400W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ30N50L2
  仓库库存编号：IXTQ30N50L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 56A 290W ISOPLUS247
  详细描述：IGBT 1200V 56A 290W Through Hole ISOPLUS247?
  
  型号：IXYR50N120C3D1
  仓库库存编号：IXYR50N120C3D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1200V 60A 300W TO247AD
  详细描述：IGBT NPT 1200V 60A 300W Through Hole TO-247AD (IXDH)
  
  型号：IXDH30N120D1
  仓库库存编号：IXDH30N120D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1000V 11A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 11A（Tc） 230W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR20N100P
  仓库库存编号：IXFR20N100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 200V 60A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 60A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH60N20
  仓库库存编号：IXFH60N20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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