产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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IXYS
IGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247
详细描述：IGBT NPT 1200V 50A 200W Through Hole ISOPLUS247?
型号：
IXDR30N120D1
仓库库存编号：
IXDR30N120D1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 400W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH30N50L
仓库库存编号：
IXTH30N50L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 75A 625W TO247
详细描述：IGBT 600V 75A 625W Through Hole TO-247
型号：
HGTG40N60A4
仓库库存编号：
HGTG40N60A4-ND
别名：HGTG40N60A4_NL
HGTG40N60A4_NL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 67A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 150V 67A（Tc） 250W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR70N15
仓库库存编号：
IXFR70N15-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 32A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 800V 32A（Tc） 830W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK32N80P
仓库库存编号：
IXFK32N80P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 25A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 25A（Tc） 625W（Tc） D3Pak
型号：
APT24M80S
仓库库存编号：
APT24M80S-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 1700V 16A 190W TO268
详细描述：IGBT NPT 1700V 16A 190W Surface Mount TO-268
型号：
IXGT16N170A
仓库库存编号：
IXGT16N170A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 13A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 13A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH13N80
仓库库存编号：
IXTH13N80-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1500V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1500V 12A（Tc） 890W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH12N150
仓库库存编号：
IXTH12N150-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT PHASE LEG ISOPLUS I4-PAC-5
详细描述：IGBT Array NPT Half Bridge 600V 30A 100W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
型号：
FII30-06D
仓库库存编号：
FII30-06D-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 50A 200W TO247AD
详细描述：IGBT 1200V 50A 200W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH25N120A
仓库库存编号：
IXGH25N120A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1500V 12A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 1500V 12A（Tc） 890W（Tc） TO-268
型号：
IXTT12N150
仓库库存编号：
IXTT12N150-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 1700V 6A 75W TO268
详细描述：IGBT 1700V 6A 75W Surface Mount TO-268
型号：
IXGT6N170AHV
仓库库存编号：
IXGT6N170AHV-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 88A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 88A（Tc） 400W（Tc） TO-268
型号：
IXTT88N15
仓库库存编号：
IXTT88N15-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 460W TO264
详细描述：IGBT PT 600V 460W Through Hole TO-264 (IXGK)
型号：
IXGK64N60B3D1
仓库库存编号：
IXGK64N60B3D1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 60A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 60A（Tc） 890W（Tc） TO-247
型号：
IXFH60N60X
仓库库存编号：
IXFH60N60X-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 69A 417W TO247
详细描述：IGBT PT 1200V 69A 417W Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT25GP120BG
仓库库存编号：
APT25GP120BG-ND
别名：APT25GP120BGMI
APT25GP120BGMI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 74A TO264
详细描述：通孔 N 沟道 500V 74A（Tc） 1400W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK74N50P2
仓库库存编号：
IXFK74N50P2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 60A TO3P
详细描述：通孔 N 沟道 600V 60A（Tc） 890W（Tc） TO-3P
型号：
IXFQ60N60X
仓库库存编号：
IXFQ60N60X-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 100A 463W TO247
详细描述：IGBT PT 600V 100A 463W Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT30GP60BG
仓库库存编号：
APT30GP60BG-ND
别名：APT30GP60BGMP
APT30GP60BGMP-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 62A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 250V 62A（Tc） 390W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX62N25
仓库库存编号：
IXFX62N25-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 13A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 900V 13A（Tc） 230W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR24N90P
仓库库存编号：
IXFR24N90P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 94A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 300V 94A（Tc） 1040W（Tc） TO-247
型号：
IXFH94N30P3
仓库库存编号：
IXFH94N30P3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 13A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 13A（Tc） 250W（Tc） TO-268
型号：
IXFT13N80Q
仓库库存编号：
IXFT13N80Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 50A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 300V 50A（Tc） 400W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH50N30
仓库库存编号：
IXTH50N30-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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