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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 24A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 24A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT24N50Q
  仓库库存编号：IXFT24N50Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 900V 72A 417W TO247
  详细描述：IGBT PT 900V 72A 417W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT25GP90BDQ1G
  仓库库存编号：APT25GP90BDQ1G-ND
  别名：APT25GP90BDQ1GMI
  APT25GP90BDQ1GMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
  详细描述：IGBT NPT 650V 118A 543W Surface Mount D3Pak
  
  型号：APT45GR65SSCD10
  仓库库存编号：APT45GR65SSCD10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 50A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 50A（Tc） 660W（Tc） TO-247
  
  型号：IXFH50N60X
  仓库库存编号：IXFH50N60X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 500V 13A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 500V 13A（Tc） 190W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXTR20P50P
  仓库库存编号：IXTR20P50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 57A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 57A（Tc） 190W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXTR90P10P
  仓库库存编号：IXTR90P10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 67A 272W TMAX
  详细描述：IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 67A 272W Through Hole
  
  型号：APT25GN120B2DQ2G
  仓库库存编号：APT25GN120B2DQ2G-ND
  别名：APT25GN120B2DQ2GMI
  APT25GN120B2DQ2GMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 100A 463W TMAX
  详细描述：IGBT PT 600V 100A 463W Through Hole T-MAX?
  
  型号：APT30GP60B2DLG
  仓库库存编号：APT30GP60B2DLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/Micross Components
  DIE ASSYMERTRICAL FOR FDC6329L
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：FDN340P
  仓库库存编号：FDN340P-DIE-ND
  别名：FCFDN340P
  FCFDN340P-ND
  FDN340P-DIE
  FDN340P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 117A 694W TO264
  详细描述：IGBT NPT 1200V 117A 694W Through Hole TO-264
  
  型号：APT50GR120L
  仓库库存编号：APT50GR120L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1700V 16A 190W TO247
  详细描述：IGBT NPT 1700V 16A 190W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH16N170A
  仓库库存编号：IXGH16N170A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 6A（Tc） 180W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT6N100Q
  仓库库存编号：IXFT6N100Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 25A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 25A（Tc） 625W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT24M80B
  仓库库存编号：APT24M80B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 22A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 23A（Tc） 625W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT22F80S
  仓库库存编号：APT22F80S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 66A 416W TO247
  详细描述：IGBT 1200V 66A 416W Through Hole TO-247 (IXYH)
  
  型号：IXYH30N120C3D1
  仓库库存编号：IXYH30N120C3D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 32A 125W SMPD
  详细描述：IGBT PT 1200V 32A 125W Surface Mount ISOPLUS-SMPD?.B
  
  型号：IXA20RG1200DHGLB-TRR
  仓库库存编号：IXA20RG1200DHGLB-TRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 100A 463W TO264
  详细描述：IGBT PT 600V 100A 463W Through Hole TO-264
  
  型号：APT30GP60LDLG
  仓库库存编号：APT30GP60LDLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1500V 2A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1500V 2A（Tc） 290W（Tc） TO-247
  
  型号：IXTH2N150L
  仓库库存编号：IXTH2N150L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1700V 32A 190W TO268
  详细描述：IGBT NPT 1700V 32A 190W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXGT16N170
  仓库库存编号：IXGT16N170-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1000V 40A 150W TO268
  详细描述：IGBT PT 1000V 40A 150W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXGT20N100
  仓库库存编号：IXGT20N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 200V 50A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 50A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT50N20
  仓库库存编号：IXFT50N20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 75A 400W TO264
  详细描述：IGBT PT 600V 75A 400W Through Hole TO-264 (IXGK)
  
  型号：IXGK50N60B2D1
  仓库库存编号：IXGK50N60B2D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 75A 480W TO264AA
  详细描述：IGBT PT 600V 75A 480W Through Hole TO-264 (IXGK)
  
  型号：IXGK50N60C2D1
  仓库库存编号：IXGK50N60C2D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 34A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 34A（Tc） 417W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT34N80LC3G
  仓库库存编号：APT34N80LC3G-ND
  别名：APT34N80LC3GMI
  APT34N80LC3GMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 250V 120A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 120A（Tc） 890W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH120N25T
  仓库库存编号：IXFH120N25T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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