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• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 7A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 7A（Tc） 180W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH7N90Q
  仓库库存编号：IXFH7N90Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1200V 48A 250W TO247AD
  详细描述：IGBT PT 1200V 48A 250W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH24N120C3H1
  仓库库存编号：IXGH24N120C3H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 75A 540W TO268
  详细描述：IGBT PT 600V 75A 540W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXGT72N60A3
  仓库库存编号：IXGT72N60A3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 9A（Tc） 180W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH9N80Q
  仓库库存编号：IXFH9N80Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 75A 300W TO268
  详细描述：IGBT 1200V 75A 300W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXGT45N120
  仓库库存编号：IXGT45N120-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 500V 11A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 500V 11A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT11P50
  仓库库存编号：IXTT11P50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 900V 18A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 18A（Tc） 540W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT18N90P
  仓库库存编号：IXFT18N90P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 24A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 24A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH24N50Q
  仓库库存编号：IXFH24N50Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 200V 72A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 72A（Tc） 400W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH72N20
  仓库库存编号：IXTH72N20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 36A TO-268 D3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 36A（Tc） 650W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT36N60P
  仓库库存编号：IXFT36N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 14A（Tc） 500W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT14M100S
  仓库库存编号：APT14M100S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 22A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 22A（Tc） 265W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT5024BLLG
  仓库库存编号：APT5024BLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 300V 69A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 69A（Tc） 500W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT69N30P
  仓库库存编号：IXTT69N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 75A 170W ISOPLUS247
  详细描述：IGBT PT 600V 75A 170W Through Hole ISOPLUS247?
  
  型号：IXGR60N60C3D1
  仓库库存编号：IXGR60N60C3D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2500V 200mA（Tc） 83W（Tc） TO-263AB
  
  型号：IXTA02N250HV
  仓库库存编号：IXTA02N250HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1700V 20A 140W TO247AD
  详细描述：IGBT 1700V 20A 140W Through Hole TO-247AD (IXBH)
  
  型号：IXBH10N170
  仓库库存编号：IXBH10N170-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 250V 100A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 100A（Tc） 600W（Tc） TO-247AD
  
  型号：IXFH100N25P
  仓库库存编号：IXFH100N25P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 50A 250W TO268
  详细描述：IGBT PT 1200V 50A 250W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXGT28N120B
  仓库库存编号：IXGT28N120B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 900V 40A 100W ISOPLUS247
  详细描述：IGBT NPT 900V 40A 100W Through Hole ISOPLUS247?
  
  型号：IXGR50N90B2D1
  仓库库存编号：IXGR50N90B2D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 17A（Tc） 220W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB18N50K
  仓库库存编号：IRFB18N50K-ND
  别名：*IRFB18N50K
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 75A 463W TO247
  详细描述：IGBT 600V 75A 463W Through Hole TO-247
  
  型号：FGH50N6S2D
  仓库库存编号：FGH50N6S2D-ND
  别名：FGH50N6S2D_NL
  FGH50N6S2D_NL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 36A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 36A（Tc） 650W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK36N60P
  仓库库存编号：IXFK36N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1000V 5A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 5A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH5N100A
  仓库库存编号：IXTH5N100A-ND
  别名：Q917004
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 18A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 18A（Tc） 500W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT17F80S
  仓库库存编号：APT17F80S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1700V 20A 140W TO268
  详细描述：IGBT 1700V 20A 140W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXBT10N170
  仓库库存编号：IXBT10N170-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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