以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• IXYS
  IGBT 1200V 40A 190W TO247
  详细描述：IGBT 1200V 40A 190W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH20N120BD1
  仓库库存编号：IXGH20N120BD1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 96A 416W TO247
  详细描述：IGBT PT 600V 96A 416W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT54GA60BD30
  仓库库存编号：APT54GA60BD30-ND
  别名：APT54GA60BD30MI
  APT54GA60BD30MI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1200V 30A 150W TO268
  详细描述：IGBT 1200V 30A 150W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXGT15N120BD1
  仓库库存编号：IXGT15N120BD1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 56A 250W TO247
  详细描述：IGBT PT 600V 56A 250W Through Hole TO-247
  
  型号：APT15GP60BDLG
  仓库库存编号：APT15GP60BDLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 75A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 75A（Tc） 330W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH75N15
  仓库库存编号：IXTH75N15-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 21A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 21A（Tc） 280W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH21N50Q
  仓库库存编号：IXFH21N50Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1700V 12A 75W TO268
  详细描述：IGBT 1700V 12A 75W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXBT6N170
  仓库库存编号：IXBT6N170-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 900V 51A 200W TO247AD
  详细描述：IGBT 900V 51A 200W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH28N90B
  仓库库存编号：IXGH28N90B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1200V 75A 400W TO3P
  详细描述：IGBT 1200V 75A 400W Through Hole TO-3P
  
  型号：IXGQ35N120BD1
  仓库库存编号：IXGQ35N120BD1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET P-CH 200V 24A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 24A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT24P20
  仓库库存编号：IXTT24P20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 14A（Tc） 500W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT14F100B
  仓库库存编号：APT14F100B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1500V 6A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1500V 6A（Tc） 540W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH6N150
  仓库库存编号：IXTH6N150-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1500V 2.5A ISOTO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1500V 2.5A（Tc） 110W（Tc） TO-247
  
  型号：IXTJ4N150
  仓库库存编号：IXTJ4N150-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 36A（Tc） 540W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT36N50P
  仓库库存编号：IXTT36N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 30A（Tc） 540W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT30N60P
  仓库库存编号：IXTT30N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 600V 38A 125W ISOPLUS247
  详细描述：IGBT NPT 600V 38A 125W Through Hole ISOPLUS247?
  
  型号：IXDR35N60BD1
  仓库库存编号：IXDR35N60BD1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 6A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH6N120
  仓库库存编号：IXFH6N120-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 21A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 21A（Tc） 280W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT21N50Q
  仓库库存编号：IXFT21N50Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1200V 30A 150W TO268
  详细描述：IGBT 1200V 30A 150W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXGT15N120CD1
  仓库库存编号：IXGT15N120CD1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 100A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 100A（Tc） 600W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ100N25P
  仓库库存编号：IXTQ100N25P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 6A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 6A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH6N90
  仓库库存编号：IXTH6N90-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
  详细描述：IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX? [B2]
  
  型号：APT70GR65B2DU40
  仓库库存编号：APT70GR65B2DU40-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 900V 75A 400W TO264
  详细描述：IGBT PT 900V 75A 400W Through Hole TO-264 (IXGK)
  
  型号：IXGK50N90B2D1
  仓库库存编号：IXGK50N90B2D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1400V 42A 250W TO268
  详细描述：IGBT PT 1400V 42A 250W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXGT20N140C3H1
  仓库库存编号：IXGT20N140C3H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 24A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 24A（Tc） 650W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK24N80P
  仓库库存编号：IXFK24N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索