以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• IXYS
  IGBT 1400V 60A 300W TO247
  详细描述：IGBT Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH28N140B3H1
  仓库库存编号：IXGH28N140B3H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 93A 415W TO247
  详细描述：IGBT NPT Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT50GS60BRG
  仓库库存编号：APT50GS60BRG-ND
  别名：APT50GS60BRGMI
  APT50GS60BRGMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 20A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 500W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT20N80P
  仓库库存编号：IXFT20N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 600V 75A 540W TO247
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH72N60A3
  仓库库存编号：IXGH72N60A3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXKC23N60C5
  仓库库存编号：IXKC23N60C5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 50A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 50A（Tc） 660W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ50N60X
  仓库库存编号：IXFQ50N60X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 54A 250W TO247
  详细描述：IGBT NPT 600V 54A 250W Through Hole TO-247
  
  型号：APT30GS60BRDLG
  仓库库存编号：APT30GS60BRDLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1600V 9A 100W TO247AD
  详细描述：IGBT Through Hole TO-247AD (IXBH)
  
  型号：IXBH9N160G
  仓库库存编号：IXBH9N160G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 41A 250W TO247
  详细描述：IGBT PT 1200V 41A 250W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT13GP120BDQ1G
  仓库库存编号：APT13GP120BDQ1G-ND
  别名：APT13GP120BDQ1GMI
  APT13GP120BDQ1GMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1700V 12A 75W TO247AD
  详细描述：IGBT Through Hole TO-247AD (IXBH)
  
  型号：IXBH6N170
  仓库库存编号：IXBH6N170-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1200V 38A 200W TO247AD
  详细描述：IGBT NPT 1200V 38A 200W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IXDH20N120D1
  仓库库存编号：IXDH20N120D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1500V 3A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1500V 3A（Tc） 250W（Tc） TO-263
  
  型号：IXTA3N150HV
  仓库库存编号：IXTA3N150HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET P-CH 500V 11A TO-247AD
  详细描述：通孔 P 沟道 500V 11A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH11P50
  仓库库存编号：IXTH11P50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1200V 30A 150W TO247
  详细描述：IGBT 1200V 30A 150W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH15N120CD1
  仓库库存编号：IXGH15N120CD1-ND
  别名：Q3354542
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC-5
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 15A（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FDM15-06KC5
  仓库库存编号：FDM15-06KC5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC-5
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 15A（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FMD15-06KC5
  仓库库存编号：FMD15-06KC5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 14A（Tc） 500W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT14M100B
  仓库库存编号：APT14M100B-ND
  别名：APT14M100BMP
  APT14M100BMP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 50A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 50A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT50P10
  仓库库存编号：IXTT50P10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 11A（Tc） 166W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR20N80P
  仓库库存编号：IXFR20N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 35A（Tc） TO-247AD（IXKH）
  
  型号：IXKH35N60C5
  仓库库存编号：IXKH35N60C5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1200V 40A 190W TO268
  详细描述：IGBT 1200V 40A 190W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXGT20N120BD1
  仓库库存编号：IXGT20N120BD1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 69A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 69A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH69N30P
  仓库库存编号：IXFH69N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 600V 75A 380W TO268
  详细描述：IGBT PT 600V 75A 380W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXGT60N60C3D1
  仓库库存编号：IXGT60N60C3D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1200V 50A 313W TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 50A 313W Through Hole TO-247
  
  型号：FGH25N120FTDS
  仓库库存编号：FGH25N120FTDS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 44A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 44A（Tc） 658W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ44N50P
  仓库库存编号：IXTQ44N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索