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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 64A 250W TO247
  详细描述：IGBT NPT Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT30GT60BRG
  仓库库存编号：APT30GT60BRG-ND
  别名：APT30GT60BRGMI
  APT30GT60BRGMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 75A 380W TO247AD
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH60N60C3D1
  仓库库存编号：IXGH60N60C3D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1200V 38A 200W TO263AB
  详细描述：IGBT NPT Surface Mount TO-263
  
  型号：IXDA20N120AS-TUBE
  仓库库存编号：IXDA20N120AS-TUBE-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 48A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 29W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R060P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R060P7XKSA1-ND
  别名：SP001658404
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 48A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 164W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：IPP60R060P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R060P7XKSA1-ND
  别名：SP001658410
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 337W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT9F100B
  仓库库存编号：APT9F100B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 40A 190W TO268
  详细描述：IGBT PT Surface Mount TO-268
  
  型号：IXGT20N120B
  仓库库存编号：IXGT20N120B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 900V 90A 500W TO247
  详细描述：IGBT Through Hole TO-247 (IXYH)
  
  型号：IXYH40N90C3D1
  仓库库存编号：IXYH40N90C3D1-ND
  别名：Q7763666
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 460W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT30N50P
  仓库库存编号：IXTT30N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 460W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT26N60P
  仓库库存编号：IXTT26N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 60A 250W TO247AD
  详细描述：IGBT NPT Through Hole TO-247AD (IXDH)
  
  型号：IXDH35N60BD1
  仓库库存编号：IXDH35N60BD1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 900V 75A 400W TO268
  详细描述：IGBT PT Surface Mount TO-268
  
  型号：IXGT50N90B2
  仓库库存编号：IXGT50N90B2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 78A 337W TO-247
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT44GA60B
  仓库库存编号：APT44GA60B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
  详细描述：IGBT NPT Through Hole T-MAX? [B2]
  
  型号：APT45GR65B2DU30
  仓库库存编号：APT45GR65B2DU30-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 164W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R060P7XKSA1
  仓库库存编号：IPW60R060P7XKSA1-ND
  别名：SP001647042
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 250W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH6N120P
  仓库库存编号：IXFH6N120P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 330W TO247
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH56N60B3D1
  仓库库存编号：IXGH56N60B3D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 78A 337W TO-247
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT44GA60BD30
  仓库库存编号：APT44GA60BD30-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 300V 86A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 86A（Tc） 860W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH86N30T
  仓库库存编号：IXFH86N30T-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 335W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT7M120S
  仓库库存编号：APT7M120S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 75A 540W TO247AD
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH72N60C3
  仓库库存编号：IXGH72N60C3-ND
  
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  MOSFET N-CH 600V 50A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 1040W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT50N60P3
  仓库库存编号：IXFT50N60P3-ND
  
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  MOSFET N-CH 500V 50A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 960W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH50N50P3
  仓库库存编号：IXFH50N50P3-ND
  
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  MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 543W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH15N100P
  仓库库存编号：IXFH15N100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1400V 42A 250W TO247
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH20N140C3H1
  仓库库存编号：IXGH20N140C3H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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