产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 380W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH10N100P
仓库库存编号：
IXFH10N100P-ND
别名：Q4374359
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 150V 44A TO-247
详细描述：通孔 P 沟道 44A（Tc） 298W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH44P15T
仓库库存编号：
IXTH44P15T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 52A TO3P
详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 960W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ480P2
仓库库存编号：
IXTQ480P2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 38A 200W TO247AD
详细描述：IGBT NPT Through Hole TO-247AD
型号：
IXDH20N120
仓库库存编号：
IXDH20N120-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 900V 64A 300W TO268
详细描述：IGBT Surface Mount TO-268
型号：
IXGT32N90B2D1
仓库库存编号：
IXGT32N90B2D1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 150W（Tc） TO-268
型号：
IXFT4N100Q
仓库库存编号：
IXFT4N100Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 32A TO-247
详细描述：通孔 P 沟道 32A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH32P20T
仓库库存编号：
IXTH32P20T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 41A 250W TO247
详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT13GP120BG
仓库库存编号：
APT13GP120BG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 47A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 379W（Tc） TO-247AD
型号：
SIHW47N60EF-GE3
仓库库存编号：
SIHW47N60EF-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 40A 150W TO247
详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH20N120
仓库库存编号：
IXGH20N120-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 45A 195W TO247
详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT15GN120BDQ1G
仓库库存编号：
APT15GN120BDQ1G-ND
别名：APT15GN120BDQ1GMI
APT15GN120BDQ1GMI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 41A TO-247A
详细描述：通孔 N 沟道 41A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH41N25
仓库库存编号：
IXTH41N25-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE SWITCH 2.5W 50V POWERMITE
详细描述：RF Diode PIN - Single 50V 2.5W DO-216
型号：
UPP9401/TR13
仓库库存编号：
UPP9401/TR13-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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IXYS
IGBT 1200V 40A 150W TO263
详细描述：IGBT Surface Mount TO-263 (IXGA)
型号：
IXGA20N120B
仓库库存编号：
IXGA20N120B-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 1700V 10A 140W TO268
详细描述：IGBT NPT Surface Mount TO-268
型号：
IXGT10N170A
仓库库存编号：
IXGT10N170A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 20A PLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 500W（Tc） PLUS220
型号：
IXFV20N80P
仓库库存编号：
IXFV20N80P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 48A 250W TO247
详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH24N120C3
仓库库存编号：
IXGH24N120C3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 14A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 180W（Tc） TO-247
型号：
IXFJ26N50P3
仓库库存编号：
IXFJ26N50P3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 500W（Tc） TO-268
型号：
IXFT30N60P
仓库库存编号：
IXFT30N60P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 69A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 69A（Tc） 500W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ69N30P
仓库库存编号：
IXTQ69N30P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 73A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 73A（Tc） 520W（Tc） TO-247AD
型号：
SIHW73N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHW73N60E-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 300W TO268
详细描述：IGBT PT Surface Mount TO-268
型号：
IXGT30N120B3D1
仓库库存编号：
IXGT30N120B3D1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-247AD
型号：
SIHW33N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHW33N60E-GE3-ND
别名：SIHW33N60E-GE3CT
SIHW33N60E-GE3CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO247
详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 357W（Tc） TO-247
型号：
FCH099N60E
仓库库存编号：
FCH099N60E-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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IXYS
IGBT 1000V 30A 150W TO263AA
详细描述：IGBT Surface Mount TO-263 (IXGA)
型号：
IXGA15N100C
仓库库存编号：
IXGA15N100C-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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