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• IXYS
  IGBT 600V 300W TO247AD
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH48N60A3D1
  仓库库存编号：IXGH48N60A3D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 20A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH20N80P
  仓库库存编号：IXFH20N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1000V 40A 150W TO247
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH20N100
  仓库库存编号：IXGH20N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 82A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 82A（Tc） 500W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK82N25P
  仓库库存编号：IXTK82N25P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 16A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 460W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT16N80P
  仓库库存编号：IXFT16N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXKC19N60C5
  仓库库存编号：IXKC19N60C5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 320W（Tc） TO-247
  
  型号：IXFH18N60X
  仓库库存编号：IXFH18N60X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 100W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA3N80
  仓库库存编号：IXFA3N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1700V 20A 110W TO268
  详细描述：IGBT NPT Surface Mount TO-268
  
  型号：IXGT10N170
  仓库库存编号：IXGT10N170-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1400V 60A 300W TO264
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-264 (IXGK)
  
  型号：IXGK28N140B3H1
  仓库库存编号：IXGK28N140B3H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 44A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 312W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP067N65S3
  仓库库存编号：FCP067N65S3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 36A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 540W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH36N50P
  仓库库存编号：IXTH36N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 500V 8A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 180W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT8P50
  仓库库存编号：IXTT8P50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  DIODE PIN 100V 2.5W POWERMITE
  详细描述：RF Diode PIN - Single 100V 2.5W DO-216
  
  型号：UPP1002/TR13
  仓库库存编号：UPP1002/TR13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  DIODE PIN 100V 2.5W POWERMITE
  详细描述：RF Diode PIN - Single 100V 2.5W DO-216
  
  型号：UPP1004/TR13
  仓库库存编号：UPP1004/TR13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  PIN DIODE 2.5W 100V POWERMITE
  详细描述：RF Diode PIN - Single 100V 2.5W DO-216
  
  型号：UPP1001/TR7
  仓库库存编号：UPP1001/TR7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  DIODE PIN 100V 2.5W POWERMITE
  详细描述：RF Diode PIN - Single 100V 2.5W DO-216
  
  型号：UPP1002/TR7
  仓库库存编号：UPP1002/TR7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  DIODE PIN 100V 2.5W POWERMITE
  详细描述：RF Diode PIN - Single 100V 2.5W DO-216
  
  型号：UPP1004/TR7
  仓库库存编号：UPP1004/TR7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN
  详细描述：Mosfet Array 6 N and 6 P-Channel 200V Surface Mount 56-QFN (8x8)
  
  型号：TC8020K6-G-M937
  仓库库存编号：TC8020K6-G-M937-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH30N60P
  仓库库存编号：IXFH30N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 88A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 88A（Tc） 600W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT88N30P
  仓库库存编号：IXFT88N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 300V 86A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 86A（Tc） 860W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT86N30T
  仓库库存编号：IXFT86N30T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXKC20N60C
  仓库库存编号：IXKC20N60C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 415W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT30F50S
  仓库库存编号：APT30F50S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） TO-247AD（IXKH）
  
  型号：IXKH30N60C5
  仓库库存编号：IXKH30N60C5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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