产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
MOSFET N-CH 1500V 4A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 280W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH4N150
仓库库存编号:
IXTH4N150-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 600V 460W TO247
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH64N60A3
仓库库存编号:
IXGH64N60A3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 600V 460W TO247
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH64N60B3
仓库库存编号:
IXGH64N60B3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 300V 75A 540W TO247
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH120N30B3
仓库库存编号:
IXGH120N30B3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 300V 75A 540W TO247
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH120N30C3
仓库库存编号:
IXGH120N30C3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 64A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 357W(Tc) TO-247
型号:
IXTH64N10L2
仓库库存编号:
IXTH64N10L2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 80A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 357W(Tc) TO-247
型号:
IXTH80N075L2
仓库库存编号:
IXTH80N075L2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 1000V 75A 300W TO247AD
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH32N100A3
仓库库存编号:
IXGH32N100A3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 50V 140A TO-247
详细描述:通孔 P 沟道 140A(Tc) 298W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH140P05T
仓库库存编号:
IXTH140P05T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 12A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 380W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH12N90P
仓库库存编号:
IXFH12N90P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 54A 390W TO247
详细描述:IGBT NPT Through Hole TO-247
型号:
HGTG18N120BN
仓库库存编号:
HGTG18N120BN-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 1700V 10A 140W TO247
详细描述:IGBT NPT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH10N170A
仓库库存编号:
IXGH10N170A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 600V 60A 150W ISOPLUS247
详细描述:IGBT PT Through Hole ISOPLUS247?
型号:
IXGR48N60B3D1
仓库库存编号:
IXGR48N60B3D1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 540W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ30N60P
仓库库存编号:
IXTQ30N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
IGBT 900V 75A 400W TO247
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH50N90B2
仓库库存编号:
IXGH50N90B2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 600V 75A 400W TO268
详细描述:IGBT PT Surface Mount TO-268
型号:
IXGT50N60C2
仓库库存编号:
IXGT50N60C2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 600V 60A 250W TO247AD
详细描述:IGBT NPT Through Hole TO-247AD (IXDH)
型号:
IXDH35N60B
仓库库存编号:
IXDH35N60B-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
IGBT 600V 75A 300W TO247AD
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH48N60C3D1
仓库库存编号:
IXGH48N60C3D1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP3N110
仓库库存编号:
IXTP3N110-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 150V 36A TO-247
详细描述:通孔 P 沟道 36A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH36P15P
仓库库存编号:
IXTH36P15P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
IGBT 1200V 40A 190W TO247
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH20N120B
仓库库存编号:
IXGH20N120B-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 8A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 180W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH8N80
仓库库存编号:
IXFH8N80-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 37A(Tc) 129W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R080P7XKSA1
仓库库存编号:
IPW60R080P7XKSA1-ND
别名:SP001647040
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 150W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH4N100Q
仓库库存编号:
IXFH4N100Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
IGBT 600V 300W TO247
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH48N60B3D1
仓库库存编号:
IXGH48N60B3D1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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