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• IXYS
  IGBT 600V 48A 150W TO268
  详细描述：IGBT Surface Mount TO-268
  
  型号：IXGT24N60C
  仓库库存编号：IXGT24N60C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Cree/Wolfspeed
  MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.3A（Tc） 78W（Tc） D2PAK-7
  
  型号：C2M1000170J-TR
  仓库库存编号：C2M1000170J-TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 25A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 208W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI60R125CPXKSA1
  仓库库存编号：IPI60R125CPXKSA1-ND
  别名：IPI60R125CP
  IPI60R125CP-ND
  SP000297355
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1700V 20A 110W TO247
  详细描述：IGBT NPT Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH10N170
  仓库库存编号：IXGH10N170-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 60A 220W TO247
  详细描述：IGBT Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH30N60C3D1
  仓库库存编号：IXGH30N60C3D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 66A 190W TO247AD
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH28N60B3D1
  仓库库存编号：IXGH28N60B3D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 53A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 53A（Tc） 520W（Tc） TO-247
  
  型号：AOK53S60L
  仓库库存编号：AOK53S60L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH
  详细描述：通孔 N 沟道 53A（Tc） 520W（Tc） TO-247
  
  型号：AOK53S60
  仓库库存编号：AOK53S60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 31.2A（Tc） 277.8W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R110CFDXKSA1
  仓库库存编号：IPP65R110CFDXKSA1-ND
  别名：IPP65R110CFD
  IPP65R110CFD-ND
  SP000895226
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1200V 40A 150W TO263
  详细描述：IGBT PT Surface Mount TO-263 (IXGA)
  
  型号：IXGA20N120
  仓库库存编号：IXGA20N120-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 3A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 200W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH3N120
  仓库库存编号：IXTH3N120-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1200V 30A 180W TO247AD
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH15N120B
  仓库库存编号：IXGH15N120B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 42A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 830W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ470P2
  仓库库存编号：IXTQ470P2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 150A 330W TO247
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH56N60A3
  仓库库存编号：IXGH56N60A3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 60A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 275W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH60N15
  仓库库存编号：IXTH60N15-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 15A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 290W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT15F60B
  仓库库存编号：APT15F60B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1000V 40A 150W TO263
  详细描述：IGBT PT Surface Mount TO-263 (IXGA)
  
  型号：IXGA20N100
  仓库库存编号：IXGA20N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 75A 540W TO247
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH72N60B3
  仓库库存编号：IXGH72N60B3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 460W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT30N50P
  仓库库存编号：IXFT30N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 460W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT26N60P
  仓库库存编号：IXFT26N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 250V 110A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 694W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH110N25T
  仓库库存编号：IXFH110N25T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 37A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 29W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R080P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R080P7XKSA1-ND
  别名：SP001658398
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 129W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：IPP60R080P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R080P7XKSA1-ND
  别名：SP001647034
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1000V 34A 150W TO247AD
  详细描述：IGBT Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH17N100A
  仓库库存编号：IXGH17N100A-ND
  别名：IXGH20N100A3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 5A 25W TO252AA
  详细描述：IGBT PT Surface Mount TO-252AA
  
  型号：IXGY2N120
  仓库库存编号：IXGY2N120-ND
  别名：Q2317638
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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