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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 30A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 500W（Tc） TO-247
  
  型号：IXFH30N60X
  仓库库存编号：IXFH30N60X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1200V 40A 190W TO220
  详细描述：IGBT Through Hole TO-220AB
  
  型号：IXGP20N120B
  仓库库存编号：IXGP20N120B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1600V 5.7A 68W TO247AD
  详细描述：IGBT Through Hole TO-247AD (IXBH)
  
  型号：IXBH5N160G
  仓库库存编号：IXBH5N160G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 60A 250W TO220AB
  详细描述：IGBT NPT Through Hole TO-220AB
  
  型号：IXDP35N60B
  仓库库存编号：IXDP35N60B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 2.4A（Tc） 125W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH2R4N120P
  仓库库存编号：IXTH2R4N120P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 200V 48A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 275W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH48N20
  仓库库存编号：IXTH48N20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 250W TO247
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH36N60B3D4
  仓库库存编号：IXGH36N60B3D4-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 250V 82A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 82A（Tc） 500W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ82N25P
  仓库库存编号：IXTQ82N25P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 250W TO247AD
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH36N60B3D1
  仓库库存编号：IXGH36N60B3D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 250V 96A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 625W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXTV96N25T
  仓库库存编号：IXTV96N25T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 18A TO-263AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 320W（Tc） TO-263AA
  
  型号：IXFA18N60X
  仓库库存编号：IXFA18N60X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 900V 64A 300W TO268
  详细描述：IGBT PT Surface Mount TO-268
  
  型号：IXGT32N90B2
  仓库库存编号：IXGT32N90B2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 900V 64A 300W TO247
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH32N90B2D1
  仓库库存编号：IXGH32N90B2D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 42A 184W TO247
  详细描述：IGBT NPT Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT15GT60BRG
  仓库库存编号：APT15GT60BRG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 50A 250W TO3P
  详细描述：IGBT Through Hole TO-3P
  
  型号：IXGQ28N120BD1
  仓库库存编号：IXGQ28N120BD1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 85V 50A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT50P085
  仓库库存编号：IXTT50P085-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 26A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 400W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT26N50P
  仓库库存编号：IXTT26N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 463W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH12N100P
  仓库库存编号：IXFH12N100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 40A 150W TO220
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-220AB
  
  型号：IXGP20N120
  仓库库存编号：IXGP20N120-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1000V 30A 150W TO220AB
  详细描述：IGBT Through Hole TO-220AB
  
  型号：IXGP15N100C
  仓库库存编号：IXGP15N100C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 30A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 460W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ30N50P
  仓库库存编号：IXTQ30N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 26A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 460W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ26N60P
  仓库库存编号：IXTQ26N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 16A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 460W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXFV16N80P
  仓库库存编号：IXFV16N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 14A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 400W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT14N80P
  仓库库存编号：IXFT14N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  1200V 40A FS2 TRENCH IGBT
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-264
  
  型号：FGL12040WD
  仓库库存编号：FGL12040WD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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