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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 16A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 330W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH16N50P3
  仓库库存编号：IXFH16N50P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 56A 250W TO247
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT15GP60BDQ1G
  仓库库存编号：APT15GP60BDQ1G-ND
  别名：APT15GP60BDQ1GMP
  APT15GP60BDQ1GMP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 50V 140A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 140A（Tc） 298W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA140P05T
  仓库库存编号：IXTA140P05T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 16A TO-263AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 347W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA16N60P3
  仓库库存编号：IXFA16N60P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 65V 120A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 120A（Tc） 298W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH120P065T
  仓库库存编号：IXTH120P065T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 150A 452W TO247
  详细描述：IGBT Field Stop Through Hole TO-247
  
  型号：FGH75N60SFTU
  仓库库存编号：FGH75N60SFTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 250mW（Tc） SUPER-247（TO-274AA）
  
  型号：SIHS20N50C-E3
  仓库库存编号：SIHS20N50C-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 1300V 63A 250W TO247
  详细描述：IGBT Through Hole TO-247 Long Leads
  
  型号：STGW38IH130D
  仓库库存编号：497-10001-5-ND
  别名：497-10001-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 200V 32A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 32A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP32P20T
  仓库库存编号：IXTP32P20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 117W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R099P7XKSA1
  仓库库存编号：IPW60R099P7XKSA1-ND
  别名：SP001647038
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 22A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 400W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH22N60P
  仓库库存编号：IXFH22N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 24A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） TO-247AD（IXKH）
  
  型号：IXKH24N60C5
  仓库库存编号：IXKH24N60C5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 75A 380W TO247AD
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH60N60C3
  仓库库存编号：IXGH60N60C3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 30A 150W TO263AA
  详细描述：IGBT PT Surface Mount TO-263 (IXGA)
  
  型号：IXGA15N120B
  仓库库存编号：IXGA15N120B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 200V 32A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 32A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA32P20T
  仓库库存编号：IXTA32P20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1100V 3A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 150W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA3N110
  仓库库存编号：IXTA3N110-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 52A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 52A（Tc） 400W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT52N30P
  仓库库存编号：IXTT52N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 64A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 64A（Tc） 400W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT64N25P
  仓库库存编号：IXTT64N25P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IC TRANS NPN 80V 8A DPAK-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 85MHz Surface Mount DPAK
  
  型号：NJVMJD44H11D3T4G
  仓库库存编号：NJVMJD44H11D3T4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IC TRANS PNP 80V 8A DPAK-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 90MHz Surface Mount DPAK
  
  型号：NJVMJD45H11D3T4G
  仓库库存编号：NJVMJD45H11D3T4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 300V 75A 460W TO247
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH100N30C3
  仓库库存编号：IXGH100N30C3-ND
  
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  MOSFET N-CH 600V 18A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 320W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP18N60X
  仓库库存编号：IXFP18N60X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 460W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH30N50P
  仓库库存编号：IXTH30N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 26A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 460W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH26N60P
  仓库库存编号：IXTH26N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 16A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 460W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH16N80P
  仓库库存编号：IXFH16N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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