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• IXYS
  IGBT 600V 300W TO263AA
  详细描述：IGBT PT Surface Mount TO-263 (IXGA)
  
  型号：IXGA48N60B3
  仓库库存编号：IXGA48N60B3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 300W TO247AD
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH48N60B3
  仓库库存编号：IXGH48N60B3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 600V 120A 298W TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247
  
  型号：NGTB60N60SWG
  仓库库存编号：NGTB60N60SWGOS-ND
  别名：NGTB60N60SWGOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1600V 5.7A 68W TO220AB
  详细描述：IGBT Through Hole TO-247AD
  
  型号：IXBP5N160G
  仓库库存编号：IXBP5N160G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 3.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIBC40G
  仓库库存编号：IRFIBC40G-ND
  别名：*IRFIBC40G
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 42A 184W TO247
  详细描述：IGBT NPT Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT15GT60BRDQ1G
  仓库库存编号：APT15GT60BRDQ1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1200V 40A 190W TO3P
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-3P
  
  型号：IXGQ20N120B
  仓库库存编号：IXGQ20N120B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1200V 40A 190W TO220
  详细描述：IGBT Through Hole TO-220AB
  
  型号：IXGP20N120BD1
  仓库库存编号：IXGP20N120BD1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 120A 300W TO247
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH48N60A3
  仓库库存编号：IXGH48N60A3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 60A 208W TO247
  详细描述：IGBT Through Hole TO-247
  
  型号：HGTG30N60B3
  仓库库存编号：HGTG30N60B3FS-ND
  别名：HGTG30N60B3-ND
  HGTG30N60B3FS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 335W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT9M100B
  仓库库存编号：APT9M100B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 900V 24A 100W PLUS247
  详细描述：IGBT Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXGX12N90C
  仓库库存编号：IXGX12N90C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 24A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 400W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IXFH24N60X
  仓库库存编号：IXFH24N60X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 12A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 337W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT11F80B
  仓库库存编号：APT11F80B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 52A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 52A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH52P10P
  仓库库存编号：IXTH52P10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1200V 48A 250W TO220
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-220AB
  
  型号：IXGP24N120C3
  仓库库存编号：IXGP24N120C3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1000V 8A 40W TO263AA
  详细描述：IGBT Surface Mount TO-263 (IXGA)
  
  型号：IXGA4N100
  仓库库存编号：IXGA4N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 52A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 400W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH52N30P
  仓库库存编号：IXFH52N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 40A 190W TO3P
  详细描述：IGBT Through Hole TO-3P
  
  型号：IXGQ20N120BD1
  仓库库存编号：IXGQ20N120BD1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 335W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT18F60B
  仓库库存编号：APT18F60B-ND
  别名：APT18F60BMI
  APT18F60BMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 23A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 415W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT23F60B
  仓库库存编号：APT23F60B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXKC15N60C5
  仓库库存编号：IXKC15N60C5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 48A 250W TO263
  详细描述：IGBT PT Surface Mount TO-263 (IXGA)
  
  型号：IXGA24N120C3
  仓库库存编号：IXGA24N120C3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 30A 150W TO220AB
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-220AB
  
  型号：IXGP15N120B
  仓库库存编号：IXGP15N120B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 14A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 400W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH14N80P
  仓库库存编号：IXFH14N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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