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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 25A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole TS-6P
  
  型号：TS25PL05G D2G
  仓库库存编号：TS25PL05G D2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 25A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V Through Hole TS-6P
  
  型号：TS25PL06G C2G
  仓库库存编号：TS25PL06G C2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 25A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V Through Hole TS-6P
  
  型号：TS25PL06G D2G
  仓库库存编号：TS25PL06G D2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 64A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 400W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ64N25P
  仓库库存编号：IXTQ64N25P-ND
  别名：Q2310188
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 900V 64A 300W TO247
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH32N90B2
  仓库库存编号：IXGH32N90B2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.4A（Tc） 125W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA2R4N120P
  仓库库存编号：IXTA2R4N120P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 30A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 500W（Tc） TO-220
  
  型号：IXFP30N60X
  仓库库存编号：IXFP30N60X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 120A 298W TO247
  详细描述：IGBT Field Stop Through Hole TO-247
  
  型号：FGH60N60UFDTU_F085
  仓库库存编号：FGH60N60UFDTU_F085-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 3.6A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP3N80
  仓库库存编号：IXFP3N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 14A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 400W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ14N80P
  仓库库存编号：IXFQ14N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 120A 378W TO247
  详细描述：IGBT Field Stop Through Hole TO-247
  
  型号：FGH60N60SFTU
  仓库库存编号：FGH60N60SFTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  IGBT 600V 150A 500W TO247
  详细描述：IGBT Through Hole TO-247
  
  型号：AOK75B60D1
  仓库库存编号：785-1701-5-ND
  别名：785-1701-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 250V 96A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 625W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH96N25T
  仓库库存编号：IXTH96N25T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 30A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 500W（Tc） TO-263
  
  型号：IXFA30N60X
  仓库库存编号：IXFA30N60X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 50A 250W TO3P
  详细描述：IGBT Through Hole TO-3P
  
  型号：IXGQ28N120B
  仓库库存编号：IXGQ28N120B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 500W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ26N50P3
  仓库库存编号：IXFQ26N50P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 22A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 400W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ22N60P
  仓库库存编号：IXTQ22N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 24A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXKP24N60C5
  仓库库存编号：IXKP24N60C5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1000V 24A 100W TO247AD
  详细描述：IGBT Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH12N100
  仓库库存编号：IXGH12N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 8.5A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 8.5A（Tc） TO-220ABFP
  
  型号：IXKP24N60C5M
  仓库库存编号：IXKP24N60C5M-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 31A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 29W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R099P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R099P7XKSA1-ND
  别名：SP001658390
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 31A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 117W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：IPP60R099P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R099P7XKSA1-ND
  别名：SP001647032
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 13A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 335W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT12M80B
  仓库库存编号：APT12M80B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 7A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 290W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT7F100B
  仓库库存编号：APT7F100B-ND
  别名：APT7F100BMI
  APT7F100BMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 3.6A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBF30
  仓库库存编号：IRFBF30-ND
  别名：*IRFBF30
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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