产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(24622)
二极管 - 桥式整流器
(2994)
二极管 - 射频
(34)
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器)
(173)
二极管 - 齐纳 - 阵列
(32)
二极管 - 齐纳 - 单
(707)
晶闸管 - SCR - 模块
(6)
晶闸管 - TRIAC
(1)
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
(323)
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
(93)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单
(2992)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
(2014)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(13335)
晶体管 - IGBT - 阵列
(15)
晶体管 - IGBT - 模块
(120)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
(1543)
晶体管 - JFET
(240)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(977)
Analog Devices Inc.(8)
Bourns Inc.(6)
Central Semiconductor Corp(40)
Comchip Technology(375)
Cree/Wolfspeed(23)
Diodes Incorporated(2470)
Fairchild/Micross Components(3)
Fairchild/ON Semiconductor(3813)
GeneSiC Semiconductor(248)
Global Power Technologies Group(163)
Infineon Technologies(2769)
IXYS(2092)
Micro Commercial Co(369)
Microchip Technology(181)
Microsemi Corporation(679)
Nexperia USA Inc.(325)
NXP USA Inc.(156)
ON Semiconductor(2161)
Powerex Inc.(2)
Renesas Electronics America(1)
Rohm Semiconductor(55)
Sanken(2)
Semtech Corporation(76)
SMC Diode Solutions(248)
STMicroelectronics(1052)
Taiwan Semiconductor Corporation(2068)
Texas Instruments(206)
Toshiba Semiconductor and Storage(11)
Transphorm(11)
Trinamic Motion Control GmbH(4)
TT Electronics/Optek Technology(6)
Vicor Corporation(1)
Vishay Semiconductor Diodes Division(772)
Vishay Siliconix(3249)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1.5A(Tc) 60W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH1N100
仓库库存编号:
IXTH1N100-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 250V 76A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 76A(Tc) 460W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH76N25T
仓库库存编号:
IXTH76N25T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-263AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Tc) 500W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA26N50P3
仓库库存编号:
IXFA26N50P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 16A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 347W(Tc) TO-247
型号:
IXFH16N60P3
仓库库存编号:
IXFH16N60P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) TO-220AB
型号:
IXKP20N60C5
仓库库存编号:
IXKP20N60C5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1200V 6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 250W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA6N120P TRL
仓库库存编号:
IXFA6N120P TRL-ND
别名:Q10805674
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 2.4A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP2R4N120P
仓库库存编号:
IXTP2R4N120P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 120A 298W TO3P
详细描述:IGBT Field Stop Through Hole TO-3P
型号:
FGA60N60UFDTU
仓库库存编号:
FGA60N60UFDTU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 250V 50A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 400W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH50N25T
仓库库存编号:
IXTH50N25T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
IGBT 600V 32A 140W TO220AB
详细描述:IGBT NPT Through Hole TO-220AB
型号:
IXDP20N60BD1
仓库库存编号:
IXDP20N60BD1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
IGBT 1200V 50A 250W TO220
详细描述:IGBT Through Hole TO-220AB
型号:
IXGP28N120B
仓库库存编号:
IXGP28N120B-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET N/P-CH 500V 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 500V Surface Mount 8-SOIC
型号:
TC1550TG-G
仓库库存编号:
TC1550TG-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 12A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH12N80P
仓库库存编号:
IXFH12N80P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
IGBT 1700V 12A 75W TO268
详细描述:IGBT NPT Surface Mount TO-268
型号:
IXGT6N170
仓库库存编号:
IXGT6N170-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
IGBT 600V 24A 100W TO263AA
详细描述:IGBT Surface Mount TO-263 (IXGA)
型号:
IXGA12N60CD1
仓库库存编号:
IXGA12N60CD1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 250V 96A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 96A(Tc) 625W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ96N25T
仓库库存编号:
IXTQ96N25T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) TO-247AD(IXKH)
型号:
IXKH20N60C5
仓库库存编号:
IXKH20N60C5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
IGBT 900V 24A 100W TO247AD
详细描述:IGBT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH12N90C
仓库库存编号:
IXGH12N90C-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 24A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 400W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ24N60X
仓库库存编号:
IXFQ24N60X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
STMicroelectronics
IGBT 600V 70A 250W TO247
详细描述:IGBT Through Hole TO-247-3
型号:
STGW40NC60WD
仓库库存编号:
497-5742-ND
别名:497-5742
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
IGBT 1000V 24A 100W TO220AB
详细描述:IGBT Through Hole TO-220AB
型号:
IXGP12N100AU1
仓库库存编号:
IXGP12N100AU1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 72A 500W TO247
详细描述:IGBT NPT Through Hole TO-247
型号:
HGTG27N120BN
仓库库存编号:
HGTG27N120BN-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 37A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 37A(Tc) 357W(Tc) TO-247
型号:
FCH104N60F_F085
仓库库存编号:
FCH104N60F_F085-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 80A 110W TO3PF
详细描述:IGBT Through Hole TO-3PF
型号:
SGF80N60UFTU
仓库库存编号:
SGF80N60UFTU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 25A,
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole TS-6P
型号:
TS25PL05G C2G
仓库库存编号:
TS25PL05G C2G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
580
581
582
583
584
585
586
587
588
589
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号