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• IXYS
  IGBT 300V 75A 300W TO247AD
  详细描述：IGBT Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH60N30C3
  仓库库存编号：IXGH60N30C3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 60A 220W TO263
  详细描述：IGBT PT Surface Mount TO-263 (IXGA)
  
  型号：IXGA30N60C3D4
  仓库库存编号：IXGA30N60C3D4-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 600V 50A TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247-3
  
  型号：NGTB50N60SWG
  仓库库存编号：NGTB50N60SWG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 24A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 400W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP24N60X
  仓库库存编号：IXFP24N60X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Tc） 1.1W（Ta），25W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP02N50D
  仓库库存编号：IXTP02N50D-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1200V 38A 200W TO263AB
  详细描述：IGBT NPT Surface Mount TO-263
  
  型号：IXDA20N120AS
  仓库库存编号：IXDA20N120AS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 200V 16A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 16A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH16P20
  仓库库存编号：IXTH16P20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 36A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 36A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH36P10
  仓库库存编号：IXTH36P10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP7N100P
  仓库库存编号：IXFP7N100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 90W（Tc） TO-220 隔离的标片
  
  型号：IXTP18N60PM
  仓库库存编号：IXTP18N60PM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1200V 36A 180W TO263
  详细描述：IGBT PT Surface Mount TO-263 (IXGA)
  
  型号：IXGA20N120B3
  仓库库存编号：IXGA20N120B3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 76A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 460W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ76N25T
  仓库库存编号：IXTQ76N25T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG30N60E-E3
  仓库库存编号：SIHG30N60E-E3-ND
  别名：SIHG30N60EE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 65V 120A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 120A（Tc） 298W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP120P065T
  仓库库存编号：IXTP120P065T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 330V 180A 390W TO3P
  详细描述：IGBT Trench Through Hole TO-3P
  
  型号：FGA180N33ATTU
  仓库库存编号：FGA180N33ATTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH18N60P
  仓库库存编号：IXFH18N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 24A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 400W（Tc） TO-263AA
  
  型号：IXFA24N60X
  仓库库存编号：IXFA24N60X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPC50LCPBF
  仓库库存编号：IRFPC50LCPBF-ND
  别名：*IRFPC50LCPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA7N100P
  仓库库存编号：IXFA7N100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1200V 36A 180W TO220
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-220AB
  
  型号：IXGP20N120B3
  仓库库存编号：IXGP20N120B3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 600V 80A 257W TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247
  
  型号：NGTB40N60FLWG
  仓库库存编号：NGTB40N60FLWGOS-ND
  别名：NGTB40N60FLWGOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 95W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R120P7XKSA1
  仓库库存编号：IPW60R120P7XKSA1-ND
  别名：SP001658382
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  FCP22N60N IN TO220 F102 T/F OPTI
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 205W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCP22N60N_F102
  仓库库存编号：FCP22N60N_F102-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG33N60E-E3
  仓库库存编号：SIHG33N60E-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 65V 120A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 120A（Tc） 298W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA120P065T
  仓库库存编号：IXTA120P065T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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