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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 50A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 400W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ50N25T
  仓库库存编号：IXTQ50N25T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF840LC
  仓库库存编号：IRF840LC-ND
  别名：*IRF840LC
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  含铅
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 50V 50A GBPC-T/W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 50A QC Terminal GBPC
  
  型号：GBPC50005T
  仓库库存编号：GBPC50005TGN-ND
  别名：GBPC50005T/WGN
  GBPC50005T/WGN-ND
  GBPC50005TW
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 1000V 50A GBPC-T/W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 50A QC Terminal GBPC
  
  型号：GBPC5010T
  仓库库存编号：GBPC5010TGN-ND
  别名：GBPC50010T
  GBPC50010T/WGN
  GBPC50010T/WGN-ND
  GBPC50010TGN-ND
  GBPC50010TW
  GBPC5010TGN
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 100V 50A GBPC-T/W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 50A QC Terminal GBPC
  
  型号：GBPC5001T
  仓库库存编号：GBPC5001TGN-ND
  别名：GBPC5001T/WGN
  GBPC5001T/WGN-ND
  GBPC5001TW
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 200V 50A GBPC-T/W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 50A QC Terminal GBPC
  
  型号：GBPC5002T
  仓库库存编号：GBPC5002TGN-ND
  别名：GBPC5002T/WGN
  GBPC5002T/WGN-ND
  GBPC5002TW
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 400V 50A GBPC-T/W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 50A QC Terminal GBPC
  
  型号：GBPC5004T
  仓库库存编号：GBPC5004TGN-ND
  别名：GBPC5004T/WGN
  GBPC5004T/WGN-ND
  GBPC5004TW
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 600V 50A GBPC-T/W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 50A QC Terminal GBPC
  
  型号：GBPC5006T
  仓库库存编号：GBPC5006TGN-ND
  别名：GBPC5006T/WGN
  GBPC5006T/WGN-ND
  GBPC5006TW
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 800V 50A GBPC-T/W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 50A QC Terminal GBPC
  
  型号：GBPC5008T
  仓库库存编号：GBPC5008TGN-ND
  别名：GBPC5008T/WGN
  GBPC5008T/WGN-ND
  GBPC5008TW
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 50V 50A GBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 50A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC50005W
  仓库库存编号：GBPC50005W-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 100V 50A GBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 50A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC5001W
  仓库库存编号：GBPC5001W-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 200V 50A GBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 50A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC5002W
  仓库库存编号：GBPC5002W-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 400V 50A GBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 50A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC5004W
  仓库库存编号：GBPC5004W-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 600V 50A GBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 50A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC5006W
  仓库库存编号：GBPC5006W-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 800V 50A GBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 50A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC5008W
  仓库库存编号：GBPC5008W-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 1000V 50A GBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 50A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC5010W
  仓库库存编号：GBPC5010W-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  IGBT 600V 120A 417W TO247
  详细描述：IGBT Through Hole TO-247
  
  型号：AOK60B60D1
  仓库库存编号：785-1625-5-ND
  别名：785-1625-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 12.6A（Tc） 300W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA13N80_F109
  仓库库存编号：FQA13N80_F109FS-ND
  别名：FQA13N80_F109-ND
  FQA13N80_F109FS
  FQA13N80F109
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/Micross Components
  DIE MOSFET N-CH 50V LL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 220mA（Ta） 360mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：BSS138
  仓库库存编号：BSS138-DIE-ND
  别名：BSS138-DIE
  BSS138-ND
  FCBSS138
  FCBSS138-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/Micross Components
  DIE TRANS P-CH SMALL SIGNAL
  详细描述：表面贴装 P 沟道 130mA（Ta） 360mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：BSS84
  仓库库存编号：BSS84-DIE-ND
  别名：BSS84-DIE
  BSS84-ND
  FCBSS84
  FCBSS84-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 30W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPAN80R280P7XKSA1
  仓库库存编号：IPAN80R280P7XKSA1-ND
  别名：SP001632934
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG24N65E-E3
  仓库库存编号：SIHG24N65E-E3-ND
  别名：SIHG24N65EE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHB33N60ET5-GE3
  仓库库存编号：SIHB33N60ET5-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 22A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 350W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH22N50P
  仓库库存编号：IXTH22N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHB33N60ET1-GE3
  仓库库存编号：SIHB33N60ET1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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