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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 18A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 360W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ18N60P
  仓库库存编号：IXTQ18N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  500V POLAR2 HIPERFETS
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 480W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ24N50P2
  仓库库存编号：IXFQ24N50P2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  不适用
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• IXYS
  IGBT 600V 32A 140W TO220AB
  详细描述：IGBT NPT Through Hole TO-220AB
  
  型号：IXDP20N60B
  仓库库存编号：IXDP20N60B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Tc） 54W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA1N100
  仓库库存编号：IXTA1N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  FCP16N60N IN TO220 F102 T/F OPTI
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 134.4W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCP16N60N_F102
  仓库库存编号：FCP16N60N_F102-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 84W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW80R360P7XKSA1
  仓库库存编号：IPW80R360P7XKSA1-ND
  别名：SP001633520
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 10A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP10N80P
  仓库库存编号：IXFP10N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 40A 100W TO3PF
  详细描述：IGBT Through Hole TO-3PF
  
  型号：FGAF40N60UFDTU
  仓库库存编号：FGAF40N60UFDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 24A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 480W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH460P2
  仓库库存编号：IXTH460P2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 26A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 500W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP26N50P3
  仓库库存编号：IXFP26N50P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 120A 300W TO263AA
  详细描述：IGBT PT Surface Mount TO-263 (IXGA)
  
  型号：IXGA48N60A3
  仓库库存编号：IXGA48N60A3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 26A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 28W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R120P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R120P7XKSA1-ND
  别名：SP001658376
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 26A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 95W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：IPP60R120P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R120P7XKSA1-ND
  别名：SP001647028
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 29A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 357W（Tc） TO-247
  
  型号：AOK29S50L
  仓库库存编号：785-1445-5-ND
  别名：785-1445-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 360W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ12N80P
  仓库库存编号：IXFQ12N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 76A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 76A（Tc） 460W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA76N25T
  仓库库存编号：IXTA76N25T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 220W TO247
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH36N60A3D4
  仓库库存编号：IXGH36N60A3D4-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 650V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHB24N65ET1-GE3
  仓库库存编号：SIHB24N65ET1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 650V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHB24N65ET5-GE3
  仓库库存编号：SIHB24N65ET5-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 600V 45A TO-247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247-3
  
  型号：NGTB45N60SWG
  仓库库存编号：NGTB45N60SWG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 220W TO247
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH36N60A3
  仓库库存编号：IXGH36N60A3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 92A 250W TO247
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH36N60B3
  仓库库存编号：IXGH36N60B3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 3A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 125W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH3N100P
  仓库库存编号：IXTH3N100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 60A 220W TO247AD
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH30N60C3
  仓库库存编号：IXGH30N60C3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 7.6A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 7.6A（Tc） TO-220ABFP
  
  型号：IXKP20N60C5M
  仓库库存编号：IXKP20N60C5M-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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