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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 400V 50A KBPC-T/W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 50A Chassis Mount KBPC
  
  型号：KBPC5004T
  仓库库存编号：KBPC5004TGN-ND
  别名：KBPC5004T/WGN
  KBPC5004T/WGN-ND
  KBPC5004TW
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 600V 50A KBPC-T/W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 50A Chassis Mount KBPC
  
  型号：KBPC5006T
  仓库库存编号：KBPC5006TGN-ND
  别名：KBPC5006T/WGN
  KBPC5006T/WGN-ND
  KBPC5006TW
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 800V 50A KBPC-T/W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 50A Chassis Mount KBPC
  
  型号：KBPC5008T
  仓库库存编号：KBPC5008TGN-ND
  别名：KBPC5008T/WGN
  KBPC5008T/WGN-ND
  KBPC5008TW
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 50V 50A KBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 50A Through Hole KBPC-W
  
  型号：KBPC50005W
  仓库库存编号：KBPC50005W-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 100V 50A KBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 50A Through Hole KBPC-W
  
  型号：KBPC5001W
  仓库库存编号：KBPC5001W-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 200V 50A KBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 50A Through Hole KBPC-W
  
  型号：KBPC5002W
  仓库库存编号：KBPC5002W-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 400V 50A KBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 50A Through Hole KBPC-W
  
  型号：KBPC5004W
  仓库库存编号：KBPC5004W-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 600V 50A KBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 50A Through Hole KBPC-W
  
  型号：KBPC5006W
  仓库库存编号：KBPC5006W-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 800V 50A KBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 50A Through Hole KBPC-W
  
  型号：KBPC5008W
  仓库库存编号：KBPC5008W-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 1000V 50A KBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 50A Through Hole KBPC-W
  
  型号：KBPC5010W
  仓库库存编号：KBPC5010W-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 9A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 29.8W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
  
  型号：FCPF9N60NTYDTU
  仓库库存编号：FCPF9N60NTYDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Global Power Technologies Group
  IGBT 600V 120A 347W TO3PN
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-3PN
  
  型号：GPA060A060MN-FD
  仓库库存编号：1560-1226-5-ND
  别名：1560-1226-1
  1560-1226-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 18A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 83W（Tc） TO-252
  
  型号：IXTY18P10T
  仓库库存编号：IXTY18P10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1200V 24A 75W TO220
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-220AB
  
  型号：IXGP12N120A2
  仓库库存编号：IXGP12N120A2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 40A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V QC Terminal GBPC40
  
  型号：GBPC4001 T0G
  仓库库存编号：GBPC4001 T0G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 40A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V QC Terminal GBPC40-M
  
  型号：GBPC4001M T0G
  仓库库存编号：GBPC4001M T0G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 40A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V QC Terminal GBPC40
  
  型号：GBPC4002 T0G
  仓库库存编号：GBPC4002 T0G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 40A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V QC Terminal GBPC40-M
  
  型号：GBPC4002M T0G
  仓库库存编号：GBPC4002M T0G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 900V 9A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 368W（Tc） TO-247
  
  型号：AOK9N90
  仓库库存编号：AOK9N90-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  UNIFET N-CHANNEL 500V MOSFET LDT
  详细描述：通孔 N 沟道 16.5A（Tc） 205W（Tc） TO-3
  
  型号：FDA16N50LDTU
  仓库库存编号：FDA16N50LDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 80A 250W TO247
  详细描述：IGBT Through Hole TO-247-3
  
  型号：STGW30NC60VD
  仓库库存编号：497-5969-5-ND
  别名：497-5969-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 35A 125W D2PAK
  详细描述：IGBT Surface Mount D2PAK
  
  型号：STGB19NC60KDT4
  仓库库存编号：497-7007-1-ND
  别名：497-7007-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHB22N60ET5-GE3
  仓库库存编号：SIHB22N60ET5-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 20A TO-263AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 380W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA20N50P3
  仓库库存编号：IXFA20N50P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXKP10N60C5
  仓库库存编号：IXKP10N60C5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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