产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 60W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPP80R600P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP80R600P7XKSA1-ND
别名:SP001644610
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 75W(Tc) TO-220 隔离的标片
型号:
IXTP14N60PM
仓库库存编号:
IXTP14N60PM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 22A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 417W(Tc) TO-247
型号:
AOK22N50L
仓库库存编号:
AOK22N50L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 3.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 3.5A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP7N80PM
仓库库存编号:
IXFP7N80PM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 330V 85A 150W TO3P
详细描述:IGBT Through Hole TO-3P
型号:
IXGQ85N33PCD1
仓库库存编号:
IXGQ85N33PCD1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 22A 100W TO220
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-220AB
型号:
IXGP12N120A3
仓库库存编号:
IXGP12N120A3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 600V 14A 54W TO263
详细描述:IGBT PT Surface Mount TO-263 (IXGA)
型号:
IXGA7N60B
仓库库存编号:
IXGA7N60B-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 300V 6.1A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 6.1A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF737LC
仓库库存编号:
IRF737LC-ND
别名:*IRF737LC
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 6.2A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) TO-262-3
型号:
IRFBC40LPBF
仓库库存编号:
IRFBC40LPBF-ND
别名:*IRFBC40LPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 32A 195W TO3P
详细描述:IGBT Through Hole TO-3PN
型号:
SGH20N60RUFDTU
仓库库存编号:
SGH20N60RUFDTU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF644STRLPBF
仓库库存编号:
IRF644STRLPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF644STRRPBF
仓库库存编号:
IRF644STRRPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 11.7A, 14.9A 1.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)
型号:
NTMFD4C87NT1G
仓库库存编号:
NTMFD4C87NT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP12N50P
仓库库存编号:
IXFP12N50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP10N60P
仓库库存编号:
IXFP10N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP12N50PM
仓库库存编号:
IXFP12N50PM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 800mA(Tc) 50W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA08N120P
仓库库存编号:
IXTA08N120P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 86W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA2N100P
仓库库存编号:
IXTA2N100P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 800mA(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP08N120P
仓库库存编号:
IXTP08N120P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP4N100P
仓库库存编号:
IXFP4N100P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 700mA(Tc) 25W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP05N100M
仓库库存编号:
IXTP05N100M-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.4A(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY1R4N120P
仓库库存编号:
IXTY1R4N120P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Comchip Technology
RECTIFIER BRIDGE 35A 50V GBPC
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 50V 35A QC Terminal GBPC
型号:
GBPC35005-G
仓库库存编号:
GBPC35005-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Comchip Technology
RECTIFIER BRIDGE 35A 100V GBPC
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 100V 35A QC Terminal GBPC
型号:
GBPC3501-G
仓库库存编号:
GBPC3501-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Comchip Technology
RECTIFIER BRIDGE 35A 200V GBPC
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 200V 35A QC Terminal GBPC
型号:
GBPC3502-G
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产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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