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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 50A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V Through Hole TS-6P
  
  型号：TS50P07GHD2G
  仓库库存编号：TS50P07GHD2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHB22N60ET1-GE3
  仓库库存编号：SIHB22N60ET1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800mA（Tc） 42W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY08N100P
  仓库库存编号：IXTY08N100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 86W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP2N100P
  仓库库存编号：IXTP2N100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP8N50P3
  仓库库存编号：IXFP8N50P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 300V 223W TO247
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH42N30C3
  仓库库存编号：IXGH42N30C3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHB22N60EL-GE3
  仓库库存编号：SIHB22N60EL-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP2N80
  仓库库存编号：IXTP2N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.1A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBE30STRLPBF
  仓库库存编号：IRFBE30STRLPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 13A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 33.8W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
  
  型号：FCPF13N60NT
  仓库库存编号：FCPF13N60NT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  BRIDGE DIODE GPP 35A 800V KBPC
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 35A Chassis Mount KBPC
  
  型号：KBPC3508-G
  仓库库存编号：KBPC3508-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 125W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：IRFBF30STRLPBF
  仓库库存编号：IRFBF30STRLPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  FCP9N60N IN TO220 F102 T/F OPTIO
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 83.3W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCP9N60N_F102
  仓库库存编号：FCP9N60N_F102-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7868ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7868ADP-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 4.1A
  详细描述：通孔 N 沟道 4.1A（Tc） 2W（Ta），37W（Tc） TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG
  
  型号：BFL4001-1E
  仓库库存编号：BFL4001-1E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 50A 50V KBPC
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 50A Chassis Mount KBPC
  
  型号：KBPC50005-G
  仓库库存编号：KBPC50005-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 50A 100V KBPC
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 50A Chassis Mount KBPC
  
  型号：KBPC5001-G
  仓库库存编号：KBPC5001-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 50A 200V KBPC
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 50A Chassis Mount KBPC
  
  型号：KBPC5002-G
  仓库库存编号：KBPC5002-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 50A 400V KBPC
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 50A Chassis Mount KBPC
  
  型号：KBPC5004-G
  仓库库存编号：KBPC5004-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 150V 10A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Tc） 83W（Tc） TO-252
  
  型号：IXTY10P15T
  仓库库存编号：IXTY10P15T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 50V 32A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 32A（Tc） 83W（Tc） TO-252
  
  型号：IXTY32P05T
  仓库库存编号：IXTY32P05T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Global Power Technologies Group
  IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-3PN
  
  型号：GPA030A135MN-FDR
  仓库库存编号：1560-1221-5-ND
  别名：1560-1221-1
  1560-1221-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7862ADP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7862ADP-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7862ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7862ADP-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 28W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA80R600P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA80R600P7XKSA1-ND
  别名：SP001644604
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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