产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 600V 35A GBPC-T/W
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 35A QC Terminal GBPC
型号:
GBPC3506T
仓库库存编号:
GBPC3506TGN-ND
别名:GBPC3506T/WGN
GBPC3506T/WGN-ND
GBPC3506TW
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 800V 35A GBPC-T/W
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 800V 35A QC Terminal GBPC
型号:
GBPC3508T
仓库库存编号:
GBPC3508TGN-ND
别名:GBPC3508T/WGN
GBPC3508T/WGN-ND
GBPC3508TW
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 600V 35A GBPC-W
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 35A Through Hole GBPC-W
型号:
GBPC3506W
仓库库存编号:
GBPC3506WGS-ND
别名:GBPC3506WGS
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 1000V 35A GBPC-T
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 1000V 35A Through Hole GBPC
型号:
GBPC3510T
仓库库存编号:
GBPC3510T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.2W(Ta),125W(Tc) 10-PolarPAK?(L)
型号:
SIE802DF-T1-E3
仓库库存编号:
SIE802DF-T1-E3TR-ND
别名:SIE802DF-T1-E3TR
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.2W(Ta),125W(Tc) 10-PolarPAK?(L)
型号:
SIE802DF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIE802DF-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 750mA(Tc) 40W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP05N100
仓库库存编号:
IXTP05N100-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 1000V 35A KBPC-T/W
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 1000V 35A Chassis Mount KBPC-T
型号:
KBPC35010T
仓库库存编号:
KBPC35010TGN-ND
别名:KBPC35010T/WGN
KBPC35010T/WGN-ND
KBPC35010TW
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP8N50P
仓库库存编号:
IXTP8N50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Comchip Technology
RECTIFIER BRIDGE 25A 50V KBPC
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 50V 25A Chassis Mount KBPC
型号:
KBPC25005-G
仓库库存编号:
KBPC25005-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Comchip Technology
RECTIFIER BRIDGE 25A 100V KBPC
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 100V 25A Chassis Mount KBPC
型号:
KBPC2501-G
仓库库存编号:
KBPC2501-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Comchip Technology
RECTIFIER BRIDGE 25A 200V KBPC
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 200V 25A Chassis Mount KBPC
型号:
KBPC2502-G
仓库库存编号:
641-1850-ND
别名:641-1850
KBPC2502-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Comchip Technology
RECTIFIER BRIDGE 25A 600V KBPC
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 25A Chassis Mount KBPC
型号:
KBPC2506-G
仓库库存编号:
641-1852-ND
别名:641-1852
KBPC2506-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 150V 10A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 10A(Tc) 83W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP10P15T
仓库库存编号:
IXTP10P15T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 70A 290W TO220AB
详细描述:IGBT Through Hole TO-220AB
型号:
HGTP20N60A4
仓库库存编号:
HGTP20N60A4-ND
别名:HGTP20N60A4_NL
HGTP20N60A4_NL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 25A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 357W(Tc) TO-220
型号:
AOT25S65L
仓库库存编号:
785-1514-5-ND
别名:AOT25S65L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 650V
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 34W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SIHB15N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHB15N65E-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 50V 25A GBPC-T/W
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 50V 25A QC Terminal GBPC
型号:
GBPC25005T
仓库库存编号:
GBPC25005TGN-ND
别名:GBPC25005T/WGN
GBPC25005T/WGN-ND
GBPC25005TW
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 50V 25A GBPC-W
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 50V 25A Through Hole GBPC-W
型号:
GBPC25005W
仓库库存编号:
GBPC25005WGS-ND
别名:GBPC25005WGS
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 200V 35A GBPC-W
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 200V 35A Through Hole GBPC-W
型号:
GBPC3502W
仓库库存编号:
GBPC3502WGS-ND
别名:GBPC3502WGS
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 40A 165W TO247
详细描述:IGBT Field Stop Through Hole TO-247
型号:
FGH20N60SFDTU
仓库库存编号:
FGH20N60SFDTU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Global Power Technologies Group
IGBT 600V 80A 231W TO3PN
详细描述:IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-3PN
型号:
GPI040A060MN-FD
仓库库存编号:
1560-1227-5-ND
别名:1560-1227-1
1560-1227-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 20A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),210A(Tc) 1.06W(Ta),104W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4933NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4933NT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 11.7A, 14.2A 1.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)
型号:
NTMFD4C88NT1G
仓库库存编号:
NTMFD4C88NT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Diodes Incorporated
BRIDGE RECTIFIER GBL
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 1000V Through Hole GBJ
型号:
GBJ3510-F
仓库库存编号:
GBJ3510-F-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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