产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 45W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPP80R900P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP80R900P7XKSA1-ND
别名:SP001633486
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 23A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 35W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF23N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHF23N60E-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
FCP11N60N IN TO220 F102 T/F OPTI
详细描述:通孔 N 沟道 10.8A(Tc) 94W(Tc) TO-220F
型号:
FCP11N60N_F102
仓库库存编号:
FCP11N60N_F102-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR024TR
仓库库存编号:
IRLR024TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR024TRL
仓库库存编号:
IRLR024TRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7.1A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7962DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7962DP-T1-E3TR-ND
别名:SI7962DP-T1-E3TR
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 11A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 11A(Tc) 3W(Ta),125W(Tc) I2PAK
型号:
IRF9640LPBF
仓库库存编号:
IRF9640LPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 3.1W(Ta),250W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB25N33TM_F085
仓库库存编号:
FQB25N33TM_F085-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) TO-251AA
型号:
IRLU024
仓库库存编号:
IRLU024-ND
别名:*IRLU024
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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SMC Diode Solutions
BRIDGE RECT 1PHASE 50V 35A GBPC
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 50V QC Terminal GBPC
型号:
GBPC35005TA
仓库库存编号:
GBPC35005TA-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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SMC Diode Solutions
BRIDGE RECT 1PHASE 100V 35A GBPC
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 100V QC Terminal GBPC
型号:
GBPC3501TA
仓库库存编号:
GBPC3501TA-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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SMC Diode Solutions
BRIDGE RECT 1PHASE 200V 35A GBPC
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 200V QC Terminal GBPC
型号:
GBPC3502TA
仓库库存编号:
GBPC3502TA-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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SMC Diode Solutions
BRIDGE RECT 1PHASE 400V 35A GBPC
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 400V QC Terminal GBPC
型号:
GBPC3504TA
仓库库存编号:
GBPC3504TA-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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SMC Diode Solutions
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 35A GBPC
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 800V QC Terminal GBPC
型号:
GBPC3508TA
仓库库存编号:
GBPC3508TA-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 600V 15A GBPC-T/W
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 15A QC Terminal GBPC
型号:
GBPC1506T
仓库库存编号:
GBPC1506TGN-ND
别名:GBPC1506T/WGN
GBPC1506T/WGN-ND
GBPC1506TW
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 200V 25A GBPC-T/W
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 200V 25A QC Terminal GBPC
型号:
GBPC2502T
仓库库存编号:
GBPC2502TGN-ND
别名:GBPC2502T/WGN
GBPC2502T/WGN-ND
GBPC2502TW
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 600V 15A GBPC-W
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 15A Through Hole GBPC-W
型号:
GBPC1506W
仓库库存编号:
GBPC1506WGS-ND
别名:GBPC1506WGS
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF740STRRPBF
仓库库存编号:
IRF740STRRPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP7N60P
仓库库存编号:
IXTP7N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 51W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R750P7AKMA1
仓库库存编号:
IPU80R750P7AKMA1-ND
别名:SP001644620
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 51W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS80R750P7AKMA1
仓库库存编号:
IPS80R750P7AKMA1-ND
别名:SP001644628
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 170W(Tc) TO-263AB
型号:
IRFS11N50ATRLP
仓库库存编号:
IRFS11N50ATRLP-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS11N50ATRRP
仓库库存编号:
IRFS11N50ATRRP-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRL640STRRPBF
仓库库存编号:
IRL640STRRPBF-ND
别名:Q4322190B
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) TO-263AB
型号:
IRF840LCSTRRPBF
仓库库存编号:
IRF840LCSTRRPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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