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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 1000V 35A KBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 35A Through Hole KBPC-W
  
  型号：KBPC3510W
  仓库库存编号：KBPC3510W-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 2.5W（Ta），4.4W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4636DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4636DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4636DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 20A 600V BU-5S
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 20A Through Hole isoCINK+? BU-5S
  
  型号：BU20065S-M3/45
  仓库库存编号：BU20065S-M3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 20A 800V BU-5S
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 20A Through Hole isoCINK+? BU-5S
  
  型号：BU20085S-M3/45
  仓库库存编号：BU20085S-M3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 20A 1000V BU-5S
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 20A Through Hole isoCINK+? BU-5S
  
  型号：BU20105S-M3/45
  仓库库存编号：BU20105S-M3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 3A D2-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 70W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA3N60P
  仓库库存编号：IXTA3N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECTIFIER BRIDGE 6A 800V PB-6
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 6A Through Hole PB-6
  
  型号：PB68-BP
  仓库库存编号：PB68-BPMS-ND
  别名：PB68-BPMS
  PB68BP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 400V 500MA 3DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500mA（Tj） 2.5W（Ta） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TN2640K4-G
  仓库库存编号：TN2640K4-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 800V 7.4A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 7.4A（Tc） 245W（Tc） TO-247
  
  型号：AOK8N80L
  仓库库存编号：785-1450-5-ND
  别名：785-1450-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 800V 7.4A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 7.4A（Tc） 245W（Tc） TO-247
  
  型号：AOK8N80
  仓库库存编号：AOK8N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 20A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 463W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB20C60L
  仓库库存编号：AOB20C60L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 198W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA7N80C_F109
  仓库库存编号：FQA7N80C_F109-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 54A 167W TO220AB
  详细描述：IGBT Through Hole TO-220AB
  
  型号：HGTP12N60A4D
  仓库库存编号：HGTP12N60A4D-ND
  别名：HGTP12N60A4D_NL
  HGTP12N60A4D_NL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC30SPBF
  仓库库存编号：IRFBC30SPBF-ND
  别名：*IRFBC30SPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 125W（Tc） TO-263AB
  
  型号：IRF840LPBF
  仓库库存编号：IRF840LPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 25A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 278W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP25N40D-E3
  仓库库存编号：SIHP25N40D-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4368DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4368DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PH 50V 25A GBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC25005WTA
  仓库库存编号：GBPC25005WTA-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PH 100V 25A GBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC2501WTA
  仓库库存编号：GBPC2501WTA-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  BRIDGE RECT 1PH 200V 25A GBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC2502WTA
  仓库库存编号：GBPC2502WTA-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  BRIDGE RECT 1PH 400V 25A GBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC2504WTA
  仓库库存编号：GBPC2504WTA-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PH 800V 25A GBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC2508WTA
  仓库库存编号：GBPC2508WTA-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 25W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA80R1K2P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA80R1K2P7XKSA1-ND
  别名：SP001644600
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 37W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：IPP80R1K2P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP80R1K2P7XKSA1-ND
  别名：SP001644606
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 6.8A（Tc） 30.5W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF7N60NT
  仓库库存编号：FCPF7N60NT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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