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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263
  详细描述：通孔 N 沟道 500mA（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP05N100P
  仓库库存编号：IXTP05N100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 463W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT20C60PL
  仓库库存编号：785-1711-5-ND
  别名：785-1711-5
  AOT20C60PL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF20C60P
  仓库库存编号：AOTF20C60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECT BRIDGE CELL 400V 35A KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 35A Through Hole KBU
  
  型号：KBU3504-G
  仓库库存编号：641-1364-ND
  别名：641-1364
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 25A 600V BU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 25A Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU2506-M3/51
  仓库库存编号：BU2506-M3/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 25A 800V BU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 25A Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU2508-M3/51
  仓库库存编号：BU2508-M3/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 25A 1000V BU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 25A Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU2510-M3/51
  仓库库存编号：BU2510-M3/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 2.7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 2.7A（Tc） 36W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP3N50PM
  仓库库存编号：IXFP3N50PM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.8A（Tc） 89W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTU5N50P
  仓库库存编号：IXTU5N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 156W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SIHB12N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHB12N65E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 4.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.8A（Tc） 89W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA5N50P
  仓库库存编号：IXTA5N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 40V 100A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 2.3W（Ta）, 104W（Tc） TO-220AB
  
  型号：DMT4005SCT
  仓库库存编号：DMT4005SCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 60V 100A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 2.3W（Ta）, 104W（Tc） TO-220AB
  
  型号：DMT6005LCT
  仓库库存编号：DMT6005LCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 68W（Tc） TO-251
  
  型号：DMJ70H900HJ3
  仓库库存编号：DMJ70H900HJ3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 450V 4.9A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 4.9A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF734
  仓库库存编号：IRF734-ND
  别名：*IRF734
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 14A TO-200AB
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 208W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP14N50D-E3
  仓库库存编号：SIHP14N50D-E3-ND
  别名：SIHP14N50DE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 14A TO-200AB
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 208W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP14N50D-GE3
  仓库库存编号：SIHP14N50D-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET 2N/2P-CH 200V 12VDFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel 200V Surface Mount 12-DFN (4x4)
  
  型号：TC8220K6-G
  仓库库存编号：TC8220K6-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Tc） 84W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD80R360P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD80R360P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD80R360P7ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Tc） 25W（Tc） TO-252AA
  
  型号：IXTY01N80
  仓库库存编号：IXTY01N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECT BRIDGE GPP 50V 25A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 25A Through Hole GBU
  
  型号：GBU25005-G
  仓库库存编号：641-1372-5-ND
  别名：641-1372-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECT BRIDGE GPP 400V 25A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 25A Through Hole GBU
  
  型号：GBU2504-G
  仓库库存编号：641-1373-5-ND
  别名：641-1373-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 1A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 42W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP1N80P
  仓库库存编号：IXTP1N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 35A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole TS-6P
  
  型号：TS35P05G C2G
  仓库库存编号：TS35P05G C2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 35A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole TS-6P
  
  型号：TS35P05G D2G
  仓库库存编号：TS35P05G D2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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